З Днем знань!

З Днем знань!

  "Сьогодні наш Господь поблагословить Вас на цей новий навчальний рік, Ви ж, у свою чергу, старайтесь добрим навчанням та гідним,...

Навчання в Польщі

Навчання в Польщі

Через Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

Рейтинг Scopus 2017

Рейтинг Scopus 2017

Прикарпатський національний університет третій рік поспіль отримує високі показники в рейтингу Scopus

 Відновлення астрономічної обсерваторії

Відновлення астрономічної обсерваторії

Відновлення колишньої астрономічної обсерваторії на горі Піп Іван.

c_680_500_16777215_00_images_naukova-robota_2017_547.jpgУчені з Техаського університету в Далласі розробили і виготовили зразки нових транзисторів, структура яких повністю складається з вуглецю. Такі транзистори в майбутньому можуть стати заміною традиційних кремнієвих транзисторів, і на їх основі можна буде створювати обчислювальні системи нового покоління, більш продуктивні та більш ефективні, ніж сучасні. "В структурі нового транзистора було використано цілий ряд існуючих нанотехнологій у досить унікальній комбінації", - розповідає доктор Джозеф С. Фрідман (Joseph S. Friedman), - "Більш того, новий транзистор працює на принципах спінтроніки, а не електроніки, як звичайні кремнієві транзистори".

Нагадаємо, що транзистори, які є ключовими компонентами практично всіх електронних пристроїв, представляють собою кремнієві структури, що пропускають чи не пропускають через себе струм, подібно до кранів, які пропускають, чи не пропускають воду.

Струм - впорядкований потік електронів. Крім переносу електричного заряду, електрони володіють ще одним параметром – спіном, який має відношення до магнітних властивостей електрона.

Останнім часом дослідники шукають способи використання спіну електронів як носія інформації, створюючи нові класи транзисторів та інших пристроїв з області спінтроніки. Новий спінтронний транзистор, створений групою доктора Фрідмана, працює як логічний елемент, покладаючись на один з основних принципів електромагнетизму. Цей принцип визначає, що електричний струм, протікаючий через провідник, створює навколо цього провідника магнітне поле. Зовнішнє магнітне поле впливає на електричний струм, що тече по провіднику.

В традиційних кремнієвих транзисторах ці принципи та явища не можуть бути використані. У цьому випадку в якості провідника (каналу транзистора) використовується графенова нанострічка. У якості керуючих електродів використовуються дві карбонові нанотрубки, розташовані по боках від нанострічки. Струм, що протікає через нанотрубки в певному напрямку, створює навколо них магнітне поле, яке, у свою чергу, впливає на струм, що протікає через нанострічку – канал. Така структура дозволить створити "багатокаскадні" транзистори та логічні елементи, що складаються з фізично не пов'язаних один з одним компонентів. Оскільки зв'язок між графеновими нанострічками здійснюється за допомогою електромагнітних хвиль, а не рухомих електронів, то він може бути значно пришвидшений – такі транзистори, як очікується, зможуть працювати на терагерцових частотах. Крім того, вуглецеві компоненти таких транзисторів можуть бути зроблені набагато меншими, ніж компоненти кремнієвих структур, розміри яких вже близькі до мінімальних.