2001   Том 2   №4

Анотації

З.В. Стасюк, А.І. Лопатинський

Розмірні кінетичні явища в тонких плівках металів. Огляд. Класичні ефекти
(огляд)

Львівський Національний університет імені Івана Франка, фізичний факультет.
79005 м. Львів, вул. Драгоманова 50; 794-784; stasyuk @ wups.lviv.ua

Проаналізовано основні теоретичні моделі класичного розмірного ефекту. Кінетичні коефіцієнти тонкої плівки відрізняються від відповідних характеристик масивного металу внаслідок додаткового розсіювання носіїв заряду поверхнями плівки (зовнішній розмірний ефект) та міжзеренними границями (внутрішній розмірний ефект). Проаналізовано вплив макроскопічних поверхневих неоднорідностей на перенос заряду в тонких металевих плівках. Оглянуто результати теоретичних та експериментальних досліджень переносу заряду в тонких плівках перехідних металів.

Ключові слова: тонкі металеві плівки, розмірний ефект, кінетичні коефіцієнти, поверхневе та зернограничне розсіювання носіїв струму.

Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, В.В. Борик, Я.І. Дроняк

Кристалохімія власних атомних дефектів
у кристалах телуриду олова

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
 76000, Івано-Франківськ, Україна, E-mail: prk@pu.if.ua

Запропонована модель квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у кристалах телуриду олова у припущенні одночасного існування двозарядних дефектів за Шотткі та чотиризарядних вакансій олова.

Одержано аналітичні вирази для визначення холлівської концентрації дірок p_Х, концентрації дірок p і електронів n, вакансій олова ,  і телуру  через константи квазіхімічних реакцій їх утворення К і парціальний тиск пари телуру .

Ключові слова: телурид олова, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги.

Б.Т. Бойко, О.П. Черних, Г.С. Хрипунов, Г.І. Копач

Плівкові фотоелектричні перетворювачі
на основі CuGaSe₂

Національний технічний университет «ХПІ», Україна, 61002, м. Харків, вул. Фрунзе 21

Шляхом аналітичної обробки експериментальних світлових навантажувальних вольт-амперних характеристик проведене дослідження фотоелектричних процесів в сонячних елементах на основі базових шарів CuGaSe₂, отриманих методом термічного вакуумного випарювання. Показано, що збільшення температури підкладки від 530^оС до 630^оС приводить до істотного поліпшення вихідних параметрів фотоелектричних перетворювачів (ФЕП): зростання напруги холостого ходу від 72 мВ до 752 мВ, щільності струму короткого замикання від 8 мА/см² до 14 мА/см², чинника заповнення вольт-амперної характеристики від 0,30 до 0,61 і в результаті – до збільшення ефективності ФЕП від 0,2% до 6,4%. Шляхом чисельного моделювання ідентифіковано, що оптимізація вихідних параметрів обумовлена зниженням щільності діодного струму насичення. Шляхом структурних досліджень ідентифіковані механізми збільшення щільності діодного струму насичення. Показано, що для подальшого підвищення ефективності досліджуваних ФЕП на основі CuGaSe₂ необхідно здійснювати інверсію типу електропровідності приповерхневої частини базового шару.

Ключові слова:Плівкові фотоелектричні перетворювачі, коефіцієнт корисної дії, світлові та темнові вольт-амперні характеристики, вихідні параметри, діодні характеристики, напруга холостого ходу, щільність струму, чинник заповнення.

Д.І. Балтрунас ¹, Д.М. Заячук ², В.І. Микитюк³, Є.О. Полигач²

Дослідження дефектної структури кристалів
Pb_1-xSn_xTe:Gd методом месcбауерівської спектроскопії
на ядрах ¹¹⁹Sn

¹Інститут фізики АН Литви, 2600 Вільнюс, Литва

²Національний університет “Львівська Політехніка”, 79013, Львів, Україна

³Чернівецький національний університет, 58012, Чернівці, Україна

В діапазоні складів х від 0,07 до 1,0 при кімнатній температурі проведені експериментальні дослідження месcбауерівських спектрів ядер ¹¹⁹Sn в кристалах твердих розчинів Pb_1-xSn_xTe, вирощених із розплаву методом Бріджмена і легованих в процесі росту домішкою гадолінію. Встановлено характер залежності параметрів мессбауерівських спектрів від складу кристалів і типу їх провідності. На основі аналізу одержаних даних зроблено висновок, що використання домішки гадолінію у процесі вирощування кристалів телуридів свинцю і олова приводить до зниження сумарної концентрації точкових дефектів кристалічної гратки.

Ключові слова: телуриди свинцю і олова, монокристали, домішки, дефекти, ефект Мессбауера, гадоліній.

Б.М. Рувінський

Рівноважні концентрації носіїв струму і дефектів у плівках PbSe при вирощуванні з парової фази і окисленні

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновано і розраховано кристалохімічну модель утворення дефектної підсистеми у плівках PbSe з урахуванням складного характеру спектра зарядових станів дефектів за Френкелем у катіонній підгратці. В залежності від різних технологічних факторів визначено рівноважні концентрації носіїв струму, нейтральних, одно- і двозарядних вакансій і міжвузлових атомів у плівках PbSe при вирощуванні з парової фази і окисленні. Результати чисельного розрахунку добре узгоджуються з експериментальними даними.

Ключові слова: кристалохімія, плівки PbSe, дефекти, константи рівноваги, n-p-перехід, кисень.

З.Д. Ковалюк, Є.І. Слинько, О.Г. Хандожко*

Ядерний квадрупольний резонанс в політипних сполуках GaSe та InSe

Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України,
58001, м. Чернівці, вул. І. Вільде, 5, тел. (03722) 2-51-55,
E-mail: chimsp@unicom.cv.ua

* Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, кафедра
 радіотехніки, 58012,м. Чернівці, вул. Коцюбинського 2, тел. (03722) 4-24-36,
 Е-mail: rmd@chnu.cv.ua

Досліджено ядерний квадрупольний резонанс на ізотопах ⁶⁹Ga i ¹¹⁵In в шаруватих сполуках GaSe та InSe. Аналіз резонансних спектрів  проведено, виходячи з політипності даних сполук та ймовірності утворення упорядкованих структурних фрагментів в основних кристалічних модифікаціях.

Ключові слова: ядерний квадрупольний резонанс, ізотопи, шаруваті сполуки, політипи, спектри, структурні фрагменти.

М.І. Мар’ян, О.О. Кикинеші, А. Сас*

 Процеси самоорганізації та формування дисипативних структур в некристалічних матеріалах

Ужгородський національний університет, 88000, м. Ужгород, вул. Підгірна, 46
*Університет Геделлев, 2071, м. Будапешт, вул. Св. Іштвана, 20, E-mail:marjan@univ.uzhgorod.ua

Формування дисипативних структур в некристалічних матеріалах пов’язано з явищем самоорганізації. В рамках даного підходу некристалічний стан розглядається як результат попередньої самоорганізації, який відповідає мінімуму дисипації енергії при даних умовах одержання.

Г.С. Байцар, О.Г. Миколайчук, Б.П. Яцишин*

Вплив технологічних факторів на електрофізичні властивості тонких плівок
 РЗМ-перехідний метал-напівпровідник

Львівський національний університет ім. І. Франка,
 79000, Україна, Львів-центр, вул. Університетська 1,
 кафедра фізики металів, тел. 794-763.
*Львівська комерційна академія,
79008, Україна, Львів, вул. Туган-Барановського, 10,
 кафедра хімії та фізики, тел 797-627,
 E-mail: ecofizbo@ lac.lviv.ua.

Досліджено оособливості температурної залежності електропровідності аморфних та закристалізованих плівок рідкоземельний метал (РЗМ: Sc, La, Y, Hf, Ce) – перехідний метал (ПМ: Fe, Co, Ni) – напівпровідник (НП: Ge), які отримали методом узгодженого випаровування компонент. Показана залежність електрофізичних властивостей від технологічних факторів отримання, складу та вмісту компонент.

Ключові слова: тонкі плівки, рідкоземельні матеріали, електропровідність.

М.О. Галущак¹, Л.Р. Павлюк¹, А.Д. Фреїк², В.В. Нижникевич¹, Г.Д. Матеїк¹

Кристалохімія дефектів у легованих талієм плівках PbSe

¹Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу
Україна, 76000 м. Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15
²Прикарпатський університет імені Василя Стефаника
Україна, 76000 м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 57

Запропонована кристалохімічна модель утворення дефектної підсистеми у плівках селеніду свинцю легованих талієм при надлишку свинцю. Теоретично розраховано залежність концентрації дефектів і носіїв струму у плівках PbSe:Tl від температури осадження, вмісту легуючої домішки і тиску парів свинцю.

Ключові слова: селенід свинцю, тонкі плівки, легування, дефекти.

Я.М. Поляк, О.Б. Кондрат, М.І. Довгошей

Електрофізичні характеристики структур Si(p)-плівка Ge₃₃As₁₂Se₅₅ з різними інжектуючими контактами

Ужгородський національний університет, 88000, м. Ужгород, вул. Підгірна, 46

З метою з’ясування впливу типу контактів на механізми переносу носіїв заряду в структурі Ni-Si(p)-Ge₃₃As₁₂Se₅₅-M (де М: Sb, Bi, Cd) досліджено їх вольт-амперні (ВАХ) і вольт-фарадні характеристики (ВФХ) та проведено розрахунок основних електрофізичних параметрів. Розрахунковим шляхом показа­но, що збіднена область поширена на всю товщину кремнію. З’ясовано, що вплив матеріалу електродів на основні електрофізичні властивості пов’язаний з просторовим перерозподілом заряду, що супроводжується порушенням термодинамічно рівноважного розподілу і утворенням областей, збіднених чи збагачених вільними носіями. Встановлено, що ВАХ гетероструктур добре описуються в рамках теорії електрообмеженого ефекту Шотткі з висотою ба­р’єру для Bi:Ф_Bi=4,27 еВ; для Sb:Ф_Sb=4,08 еВ; для Cd: Ф_Cd=3,92 еВ. Макси­мум ВФХ гетероструктур спостерігається в області додатних напруг (0,1-0,6 В), що пояснюється вирішальною роллю ємностей поверхневих бар’єрів. Визначені внутрішні різниці потенціалів структури з контактом з Ві, які, відповідно, рівні V_D1=0,3 еВ і V_D2=0,06 еВ, а величина розриву валентної зони складає DE_v=0,94 еВ.

Ключові слова: гетероструктура, поверхневий бар’єр, внутрішня різниця потенціалів, розрив валентної зони.

О.М. Варцаб’юк, І.Г. Орлецький, А.Й. Савчук, П.М. Горлей,
Ю.В. Воробйов *, О.Ю. Салюк **

Оптичні та структурні властивості тонких плівок CuInS₂

Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича, Чернівці
*Керетарське відділення CINVESTAV, Керетаро, Мексика
**НТУУ ”Київський політехнічний інститут”, Київ

Отримано тонкі плівки халькопіритних напівпровідникових матеріалів A^IB^IIIC^VI₂ з параметрами, що відповідають, а по значенню коефіцієнта поглинання, навіть переважають існуючі аналоги. Показано, що шляхом зміни молярних співвідношень [Cu]/[In] і [S]/[Cu] в розчині CuInS₂ можна керувати типом провідності та величиною питомого опору досліджуваного матеріалу.

Ключові слова: коефіцієнт поглинання, халькопіритні напівпровідникові матеріали, тіомочевина.

Н.А. Давиденко³, Н.А. Дерев’янко², А.А. Іщенко² Г.П. Ольховик¹,
П.С. Смертенко¹, Л.І. Фененко¹

Електрофізичні властивості тонких плівок на основі забарвлених фотопровідних полімерів

¹Інститут фізики напівпровідників НАНУ, 
Україна, 03039, м. Київ, пр. Науки, 45

²Інститут органічної  хімії НАНУ,
Україна, 02094, м. Київ, вул. Мурманська, 5

³Київський університет імені Тараса Шевченка,
Україна, 01033, м. Київ ,вул. Володимирська, 64

Досліджено електропровідні властивості зразків сендвіч-структуры з плівками на основі фотопровідного полімеру полі-N-епоксипропілкарбазолу, допірованого катіонним, аніонним, катіон-аніонним, внутрішньоіонним поліметиновими барвниками і нейтральним металоорганічним комплексом. Електропровідність зразків обумовлена дрейфом іонів, термопольовою генерацією дірок з неконтрольованих домішкових центрів, термопольовою генерацією електронів і дірок з молекул допанта, термопольовою інжекцією електронів і дірок з електричних контактів. Внесок струмів інжекції носіїв заряду збільшується при переході від катіонного барвника до аніонного, а потім до катіон-аніонного, внутрішньоіонного і нейтрального. Результати передбачається використовувати при розробці і створенні нових електролюмінесціюючих середовищ.

Ключові слова: електропровідність, полі-N-епоксипропілкарбазол, поліметинові барвники, генерація, інжекція, електролюмінесценція.

В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, Н.В.Кусяк

Хімічне травлення нелегованого та легованого InAs в розчинах системи HNO₃-HBr-етиленгліколь

Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ-28, пр. Науки, 41,
Житомирський державний педагогічний університет ім. І.Франка,  м. Житомир, вул. В.Бердичівська

Досліджено характер  хімічного розчинення нелегованого та легованого оловом InAs в розчинах системи HNO3-HBr-етиленгліколь. Побудовано поверхні рівних швидкостей травлення (діаграми Гіббса), з’ясовано кінетичні закономірності і визначено лімітуючі стадії процесу розчинення та області поліруючих розчинів. Встановлено вплив легування на характер хімічного травлення арсеніду індію. На основі проведених експериментів визначено концентраційні границі розчинів, які можна використовувати для різних хімічних обробок (полірування, селективне травлення) нелегованого та легованого оловом арсеніду індію.

Ключові слова: травлення, травильна композиція, арсенід індію, швидкість розчинення, легування.

Д.М. Фреїк, В.М. Шперун, Р.Я. Михайльонка, І.М. Іванишин, У.Є. Левицька

Термоелектричні властивості і дефектна підсистема
твердих розчинів PbTe-Eu₂Te₃

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
76000 м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка 57

Досліджено залежність питомої електропровідності (s), коефіцієнта термо-е.р.с. (a), питомої термоелектричної потужності (a²s) та термоелектричної добротності (Z) твердого розчину на основі PbTe–Eu₂Te₃ від складу. Запропоновано кристалоквазіхімічний опис дефектної підсистеми основної матриці та проаналізовано найбільш імовірні механізми його утворення. Визначено склад, що характеризується оптимальними значеннями термоелектричних параметрів.

Ключові слова: телурид свинцю, телурид європію, термоелектрика, дефекти, октаедричні, тетраедричні порожнини.

Д.Л. Кардашев

Густина електронних станів і рівні нейтральної вакансії в аморфних ковалентних напівпровідниках

Одеська державна морська академія, 65029, Одеса, вул. Дідріхсона, 8.

Локальна густина електронних станів в ковалентних напівпровідниках обчислена методом функцій Гріна, в якому використан напівемпіричний гамільтоніан сильного зв'язку. Аморфний напівпровідник моделювався граткою Бете. Отримано аналітичний вираз для діагональних елементів функції Гріна. Методом вилучених орбіталей зроблена оцінка енергетичної структури нейтральної вакансії.

Ключові слова: функція Гріна,  густина електронних станів, вакансія, аморфний, гратка Бете.

А.Д. Замковець

Полімер-кристалічні інтерференційні системи для області спектра 30 – 50 мкм

Інститут  молекулярної і атомної фізики Національної Академії наук Бєларусі,
 м. Мінськ, Бєларусь
E-mail: lirp@imaph.bas-net.by

Показано принципову можливість створення багатошарових інтерференційних систем і фільтрів відсікаючого типу для далекої ІЧ області спектра 30 – 50 мкм на основі періодичних структур із шарами нерівної оптичної товщини виду [(H-C)(L+C)]^k(H-C), де H і L – чвертьхвильові шари з германію і полімерного матеріалу, C – параметр нерівнотовщиності, k ціле число. Для погашення вторинних смуг пропускання в короткохвильовому діапазоні використаний відсікаючий розсіюючий фільтр поліетилен – кремній.

Ключові слова: інтерференційна система, спектральна характеристика, відсікаючий фільтр.

І.Ф. Миронюк¹, В.В. Лобанов¹, Б.К. Остафійчук², В.І. Мандзюк², І.І. Григорчак³, Л.С. Яблонь²

Про можливість проникнення літію у структурні канали кристалічних модифікацій диоксиду кремнію

¹Інститут хімії поверхні НАН України, вул. Генерала Наумова, 17, Київ, 03164, Україна
²Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ
³Львівське відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України,
вул. Патона, 1, Львів, 79000, Україна

Напівемпіричним методом МНДП досліджено енергетику процесів інтеркалювання літієм кластерів, що відображають кристалічні модифікації кремнезему: a-кварцу, b-кристобаліту і b–тридиміту. Показано, що найбільш придатними за розмірами для проникнення в них літію є структурні канали b–тридиміту вздовж напрямків [0001] та . У рамках одноелектронного наближення зроблено висновок про появу в забороненій зоні кремнійкисневих кластерів додаткових енергетичних рівнів, обумовлених локалізацією у каналах атомів літію. Коротко окреслені шляхи та напрямки подальших досліджень у галузі вивчення будови та енергетики інтеркальованих літієм кластерів кремнезему різних кристалічних модифікацій.

Ключові слова: кремнезем, a-кварц, b-кристобаліт, b–тридиміт, кластерне наближення, структурні канали, квантово-хімічні розрахунки, екситон - спінова густина.

І.Ф. Миронюк¹, В.М. Огенко¹, Б.К. Остафійчук², В.І. Мандзюк², І.І. Григорчак³

Термодинамічні особливості струмоутворюючого процесу в літієвих джерелах з катодом на основі пірогенного діоксиду кремнію

¹Інститут хімії поверхні НАН України, вул. Генерала Наумова, 17, Київ, 03164, Україна
²Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ
³Львівське відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України,
вул. Патона, 1, Львів, 79000, Україна

Використовуючи метод спектроскопії хімічного потенціалу, що базується на вимірюванні електрорушійної сили літієвих елементів, досліджено термодинамічні особливості струмоутворення в катоді, виготовленого на основі пірогенного діоксиду кремнію різної дисперсності. Показано, що енергетична ємність елементів залежить від середнього діаметру первинних частинок SiO₂ і ступеня їх агрегатування. Зроблено висновок про перспективність використання нанодисперсного кремнезему в якості катодного матеріалу.

Ключові слова: діоксид кремнію, пірогенний синтез, наночастинки, розподіл частинок за розмірами, ентропія, енергія Гіббса, питома ємність та енергія гальванічного елемента.

Н.В. Юркович, І.Й. Росола, І.М. Миголинець, А.В. Лада

Вплив концентрації модифікатора на край власного поглинання структур змінного складу Ge2S3 + Bi (Pb,Те)

Ужгородський національний університет
88 000, Україна, м. Ужгород, вул.Підгірна, 46, E-mail: yurkov@ssed.univ.uzhgorod.ua

Приводяться результати експериментального дослідження оптичного поглинання   градієнтних плівок  Ge₂S₃ + Bi(Pb,Te). Встановлено, що край власного поглинання даних структур добре узгоджується з відомим законом Тауца. Виявлена немонотонність зміни оптичних параметрів зі зміною концентрації і типу елемента-модифікатора.

Ключові слова: градієнтна структура, модифікатор, оптичні параметри.

Е.М. Наумова, А.Ι. Костржицький, О.Ю. Калiнков

Корозійно-електрохімічні характеристики тонких іонно-плазмових покрить на сталі в нейтральних середовищах

Одеська  державна  академія харчових технологій
65039, Одеса, вул.Канатна 112, ОДАХТ, тел.29-11-31, E-mail: profAIK@ipss.net

Розглянуто закономірності корозiйно-електрохiмiчноï поведiнки iонно-плазмових покрить з нітриду титана на сталі в нейтральних середовищах. Показано, що основним фактором, що визначає захисні властивості покрить, є пористість. Приведено кількісні дані про вплив розумів експлуатації на пористість покрить, їхню корозiйно-електрохiмiчну поведiнку в рідких середовищах. Отриманi емпіричні формули, що показують кінетику зростання числа осередкiв поразки. Дано рекомендації про можливість використання iонно-плазмових покрить для захисту малолегованих сталей від корозії.

Ключові слова: корозія покриття пористість, електрохімічна корозія.

Д.М. Фреїк, Л.І. Никируй, М.А. Рувінський, В.М. Шперун, В.В. Нижникевич

Розсіювання носіїв струму у кристалах халькогенідів свинцю n-типу

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті ім. В.Стефаника
76000, м.Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 57
E-mail: freik@pu.if.ua

Досліджено домінуючі механізми розсіювання носіїв заряду в електронних монокристалах халькогенідів свинцю при температурах 4,2 – 300 К у концентраційному інтервалі 10¹⁶-10²⁰ см^-3 з використанням квадратичного та неквадратичного законів дисперсії. Показано, що для n-PbSe реалізується квадратичний закон дисперсії; із збільшенням ширини забороненої зони (e_G(PbSe)< e_G(PbTe)< e_G(PbS)) краща відповідність з експериментальними даними дає вже неквадратичyий закон дисперсії (для n-PbS і
n-PbTe).

Ключові слова: телуриди свинцю, монокристали, рухливість Холла, час релаксації, механізми розсіювання, закон дисперсії.

В.В. Мельник, М.М. Сльотов, Б.М. Собіщанський, Ю.Я. Чабан

Оптичні властивості плівок селеніду цинку

Чернівецький національний університет імені Ю.Федьковича
м.Чернівці, вул. Коцюбинського 2, 58012, Україна тел. (03722)44221,
E-mail: oe-dpt@chnu.cv.ua

Досліджені спектри поглинання та фотолюмінесценції плівок селеніду цинку. Домінуючим є випромінювання в синьо-блакитній області спектру. Воно визначається генераційно-рекомбінайційними процесами за участю енергетичних станів, зумовлених власними точковими дефектами кристалічної гратки та міжзонною випромінювальною рекомбінацією.

Ключові слова: селенід цинку, поглинання, l-модуляція, фотолюмінесценція, точкові дефекти, рекомбінація.

Л. Ю. Козак

Механічні властивості ниткоподібних кристалів

Івано-Франківський державний технічний університет нафти й газу
76000, м. Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15

Вважається, що структура ниткоподібних кристалів (вусів)  дуже досконала, а межа міцності  наближається до теоретичної. Але подальші дослідження засвідчили  неоднозначність  зв’язку між досконалою будовою «вусів»  і їх високою міцністю. У статті наведені експериментальні дані, що свідчать про наявність дефектів кристалічної структури у «вусах», а також дані  масштабного ефекту залежності міцності від поперечного і поздовжнього розмірів «вусів».

Зроблено висновки, що надвисока міцність «вусів» пов’язана з впливом поверхні, яка має будову і тип міжатомного з’язку відмінний від їх внутрішніх областей. Міцність“вусів” може змінюватись у широкому діапазоні і залежить від  структури   поверхневих  і внутрішніх шарів та від співвідношення  об’ємів поверхневих шарів у порівнянні з загальним об’ємом  «вусів».

Ключові слова: ниткоподібні кристали, кристалічна гратка, структура, поверхневі шари, дефекти.

О.В. Копач, С.О. Баланецький, Л.П. Щербак, П.І. Фейчук

Термографічний контроль процесів газоутворення в системі CdTe-Ge

Чернівецький національний університет, м. Чернівці, Україна

Встановлено, що процес розчинення кластерів з ростом температури відбувається в інтервалі не менше 20 К вище Т_топл. Досліджено збереження в даних розплавах умов для безактиваційного зародкоутворення внаслідок структурованості розплаву, перегрітого на 5-10 К вище ТЕ.

Ключові слова: телурид кадмію, диференційно-термічний аналіз, дефекти.

В.О. Надточій, М.К. Нечволод, М.М. Голоденко, Д. Г. Сущенко

Про рекомбінацію нерівноважних носіїв заряду у дефектному поверхневому шарі монокристалічного Ge

Слов’янський державний педагогічний інститут,
 м. Слов’янськ, вул. Ген. Батюка, 19, Донецька область, Україна, 84116
E-mail: sgpi@slav.dn.ua

Методом модуляції провідності у точковому контакті досліджувався вплив циклічного деформування монокристалічного германію при кімнатній температурі на час життя нерівноважних носіїв заряду. Показано, що внаслідок  деформації виникає поверхневий дефектний шар. Час життя нерівноважних носіїв заряду у такому шарі зменшується порівняно з недеформованим кристалом.

Ключові слова: деформування, германій, дефектний шар, нерівноважні носії заряду.

Ефективні і локальні значення електричних параметрів у полікристалічних плівках телуриду свинцю

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
 вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Досліджено залежність ефективних значень питомої електропровідності, коефіцієнта Холла, холлівських концентрації і рухливості носіїв струму від товщини полікристалічних плівок PbTe. Зроблено розрахунок профілей їх розподілу по товщині. На основі одержаних експериментальних і розрахункових результатів запропоновано механізми процесів дефектоутворення.

Ключові слова: тонкі плівки, телурид свинцю, електричні параметри, дефекти.

І. М. Черненко, К. В. Часовський, В. Ф. Катков

Одержання плівок оксиду вісмуту напилюванням
у магнетронній системі

Дніпропетровський національний університет
49050 м. Дніпропетровськ, вул. Наукова, б/13,

Плівки a-,b-,d- і аморфної модифікацій одержували при фіксованих значеннях парціального тиску кисню, струмі магнетрона і температурі підкладки. Товщину плівок визначали інтерференційним методом. Структура і переважна орієнтація отриманих плівок визначена рентгено фазовим аналізом на установці ДРОН-2.0 у Co К_a випромінюванні .

Ключові слова: модифікація, мішень, магнетрон, іонно-плазмовий, розпилення, текстура.

Т.Д. Бакума, П.П. Зарін, М.О. Бакума, О.Є. Федоров

Ядерні гамма-резонансні дослідження Nі-Al
феромагнетиків шпінельної структури

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу
 м. Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15, ІФНТУНГ
 кафедра фізики
 роб. тел. 99-31-74 99-31-75

В статті представлено результати досліджень тонкої структури Ni-Al ферошпінелі методом ядерного магнітного гама-резонансу. Розраховані основні параметри мессбауєрівських спектрів поглинання: хімічний зсув, квадрупольна взаємодія, магнітні поля на ядрах заліза. Ці результати зведені в таблицю. Представлені спектри мессбауєрівські, на яких спостерігається зміна їх при збільшенні кількості діамагнітних іонів алюмінію. Спочатку в спектрі нечітко спостерігається, а при Х=1,2 повністю проглядається дублет. Це свідчить про повний перехід феромагнетику в парамагнітний стан. За результатами допускається гіпотеза про електронну структуру NiAl-Fe шпінелі:

2) зміну взаємодії між октаедричними і тетраедричними підградками (при збільшенні іонів Al).

3) про хімічний зв’язок між елементами.

Дані дослідження неопосередковано підтверджуються іншими експериментами, проведеними з даними зразками.

Ключові слова: ядерний магнітний резонанс, ізомерний зсув, квадрупольна взаємодія, магнітна надтонка структура, тетраедри, октаедри, парамагнетика, шпінель.

С.С. Варшава, Н.С. Лях, Н.М. Стасюк  

Нелінійні ефекти в точкових контактах метал-кремній, метал-кремній-германій

Національний університет “Львівська політехніка”
кафедра напівпровідникової електроніки.
79013, м. Львів, вул. С. Бандери, 12. Тел. 721632

Приведений огляд методів створення точкових приварних контактів до мікрокристалів Si, Ge, Si-Ge, досліджені нелінійні ВАХ Pt-контактів на ниткоподібних кристалах Si-Ge, Si (“С”-характеристики). Показано, що форма ВАХ визначається як параметрами, так і геометрією структур, зокрема діаметром кристала.

Ключові слова: мікрокристали, ниткоподібні кристали, контакти.

С.І. Ющук¹, В.О. Коцюбинський², С.О. Юр’єв¹, І.П. Яремій²

Вплив відпалу на магнітні властивості ферогранатових плівок

Прикарпатський університет ім. В.Стефаника,  вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, Україна
*Національний університет “Львівська політехніка”

Високотемпературний відпал плівок ЗІГ і La,Ga:ЗІГ при Т=1273...1673 К на повітрі, в потоці О₂ і Н₂ викликає розширення лінії феромагнітного резонансу і приводить до зміни намагніченості насичення. Низькотемпературний відпал при Т=723К в потоці сухого кисню на протязі 20 год. зменшує параметр DН ФМР на 18...25 %, робить його стійким до зміни температури і вологості навколишнього середовища.

Ключові слова: залізо-ітрієвий гранат, відпал, дифузія, феромагнітний резонанс, магнітні втрати, намагніченість насичення.

Д.М. Фреїк, І.М. Іванишин, Л.Й. Межиловська, В.М. Бойчук, М.Г. Павликівська

Кристалоквазіхімія дефектів твердого розчину
SnTe-In₂Te₃

Фізко-Хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
 вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000 Україна

Кристалоквазіхімічним методом описана дефектна підсистема у твердому розчині SnTe-In₂Te₃. Показано, що основними механізмами утворення твердих розчинів є як заміщення індієм катіонних вакансій, так і вкорінення індію у тетраедричні порожнини щільної упаковки атомів телуру основної матриці.

Ключові слова: телурид олова, телурид індію, кристалоквазіхімія.

І.М. Смоленський

Кінетичний метод оцінки фотоокиснювальної деградації поліамідів і техноекологічний моніторинг цих процесів

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, Україна, 76019;
E-mail: ismolensky@ifdtung.if.ua

Розроблений кінетичний метод оцінки фотоокиснювальної деградації поліамідів (ПА) та ефективності світлозахисної дії введених в ПА додатків під впливом квантованої довгохвильової УФ-радіації в умовах максимально наближених до природного старіння, які дозволяють проводити техноекологічний моніторинг цих процесів практично в 10-200 разів швидше, ніж в апаратах штучної погоди.

Ключові слова: поліамід, фотоокиснювальна деградація, кінетичний метод, техноекологічний моніторинг.