DOI: 10.15330/pcss.19.1.40-47

Г.П. Гайдар

Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації

Інститут ядерних досліджень НАН України, пр. Науки, 47, Київ, 03680, Україна, e-mail: gaydar@kinr.kiev.ua

У роботі досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав та методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження при проміжному значенні швидкості охолодження (u_охол» 15 ^оС/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів n-Si <P>. Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу при використанні різних швидкостей охолодження.
Ключові слова: електрофізичні параметри, n-кремній, способи легування, параметри анізотропії, термічний відпал, швидкість охолодження.

Reference

[1] A.I. Belous, V.A. Solodukha, S.V. Shvedov, Kosmicheskaya elektronika. V 2-kh knigakh (Space Electronics. In 2 books) (Tekhnosfera, Moscow, 2015) (in Russian).
[2] J. Vanhellemont, E. Simoen, J. Electrochem. Soc. 154 (7), H572 (2007).
[3] O.V. Tretyak, V.V. Il'chenko, Fizychni osnovy napivprovidnykovoyi elektroniky (Physical Principles of Semiconductor Electronics) (VPTs "Kyivs'kyi universytet", Kyiv, 2011) (in Ukrainian).
[4] A.V. Naumov, Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Tsvetnaya metallurgiya (4), 32 (2007) (in Russian).
[5] Yu.M. Smirnov, I.A. Kaplunov, Materialovedenie (5), 48 (2004) (in Russian).
[6] I.A. Kaplunov, Yu.M. Smirnov, A.I. Kolesnikov, Opticheskiy zhurnal (Journal of Optical Technology) 72 (2), 61 (2005) (in Russian).
[7] N.N. Gerasimenko, Yu.N. Parkhomenko, Kremniy – material nanoelektroniki (Silicon – Material for Nanoelectronics) (Tekhnosfera, Moscow, 2007) (in Russian).
[8] G.I. Zebrev, Fizicheskie osnovy kremnievoy nanoelektroniki (Physical Bases of Silicon Nanoelectronics) (BINOM. LZ, Moscow, 2012) (in Russian).
[9] V.A. Gurtov, Tverdotel'naya elektronika (Solid State Electronics) (Tekhnosfera, Moscow, 2008) (in Russian).
[10] B.I. Shklovskii, A.L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer Science & Business Media, Berlin-Heidelberg, 2013). ISBN: 3662024039.
[11] B.V. Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices (Boulder, 2011), http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/.
[12] V.A. Gurtov, R.N. Osaulenko, Fizika tverdogo tela dlya inzhenerov (Solid State Physics for Engineers) (Tekhnosfera, Moscow, 2007) (in Russian).
[13] S.M. Sze, M.-K. Lee, Semiconductor Devices. Physics and Technology. 3rd edition (John Wiley & Sons Inc., New York, 2016).
[14] B.I. Boltaks, Diffuziya i tochechnye defekty v poluprovodnikakh (Diffusion and Point Defects in Semiconductors) (Nauka, Leningrad, 1972) (in Russian).
[15] V.S. Vavilov, A.R. Chelyadinskiy, Uspekhi fizicheskikh nauk 165 (3), 347 (1995) (in Russian).
[16] S.S. Gorelik, M.Ya. Dashevskiy, Materialovedenie poluprovodnikov i dielektrikov (Material Science of Semiconductors and Dielectrics) (MISIS, Moscow, 2003) (in Russian).
[17] P.I. Barans'kyy, O.Ye. Byelyayev, G.P. Gaidar, V.P. Klad'ko, A.V. Kuchuk, Problemy diahnostyky real'nykh napivprovidnykovykh krystaliv (Problems of Real Semiconductor Crystals Diagnostics) (Naukova dumka, Kyiv, 2014) (in Ukrainian).
[18] R. Triboulet, Crystal Research and Technology 38 (3-5), 215 (2003).
[19] I.S. Shlimak, Fizika tverdogo tela 41 (5), 794 (1999) (in Russian).
[20] M. Schnöller, Neutron transmutation doping (NTD) of silicon. In book: Silicon. Evolution and Future of a Technology. Eds. P. Siffert and E.F. Krimmel (Springer, Berlin-Heidelberg, 2004). Part V. P. 231–241.
[21] G.P. Gaidar, P.I. Baranskii, Physica B: Condensed Matter 441, 80 (2014).
[22] W.E. Haas, M.S. Schnoller, J. Electron. Mater. 5 (1), 57 (1976).
[23] Н. Bender, phys. stat. sol. (a) 86 (1), 245 (1984).
[24] V.M. Babich, N.I. Bletskan, E.F. Venger, Kislorod v monokristallakh kremniya (Oxygen in the Silicon Single Crystals) (Interpress LTD, Kiev, 1997) (in Russian).
[25] С. Herring, J. Appl. Phys. 31 (11), 1939 (1960).
[26] G.P. Gaidar, Fizyka i khimiya tverdoho tila (Physics and Chemistry of Solid State) 18 (1), 34 (2017) (in Ukrainian).