Фізика і хімія твердого тіла

 

2018  Том 19   №1

Title

Content

Editorial
Board

 
 

DOI: 10.15330/pcss.19.1.21-28

Л.П. Ромака1, Ю.В. Стадник1, В.А.Ромака2,3, А.М. Горинь1, В.Я. Крайовський3

Дослідження електрокінетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину ZrNi1-xRhxSn

1Львівський національний університет ім. І.Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, Львів, 79005, Україна, e-mail: lyubov.romaka@gmail.com;
2Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України, вул. Наукова, 3-б, Львів, 79060, Україна;
3Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна

Досліджено особливості кінетичних, енергетичних та магнітних характеристик напівпровідникового твердого розчину ZrNi1-xRhxSn у діапазонах: Т = 80 - 400 К, х = 0 – 0,10. Показано, що уведення атомів Rh (4d85s1) у структуру сполуки ZrNiSn шляхом заміщення атомів Ni (3d84s2) генерує у кристалі структурні дефекти акцепторної природи, а основними носіями струму ZrNi1-xRhxSn за низьких температур стають дірки. На основі аналізу швидкості руху рівня Фермі ΔεF/Δх ZrNi1-xRhxSn у напрямі валентної зони та зміни знаку коефіцієнта термо-ерс з додатного на від’ємний за високих температур висунуто припущення про одночасне з акцепторами генерування структурних дефектів донорної природи (донорно-акцепторні пари), які породжують глибоку донорну зону εD2.
Ключові слова: електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі.


Full text (on original language) .pdf
Home 

Reference

[1] В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стадник, Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування (Видавництво Львівської політехніки, Львів, 2011).
[2] Л.И. Анатычук, Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Наукова думка, Київ, 1979).
[3] V.A. Romaka, D. Fruchart, V.V. Romaka, E.K. Hlil, Yu.V. Stadnyk, Yu.K. Gorelenko, L.G. Akselrud, Semiconductors 43(1), 7 (2009).
[4] V.A. Romaka, P. Rogl, Yu. Stadnyk, V.V. Romaka, E.K. Hlil, V.Ya Krayovskyy, A.M. Horyn, Semiconductors 47(9), 1145 (2013).
[5] B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, NY, 1984).
[6] В.В. Ромака, Л.П. Ромака, В.Я. Крайовський, Ю.В. Стадник, Станіди рідкісноземельних та перехідних металів (видавництво Львівської політехніки, Львів, 2015).
[7] Н. Мотт, Э. Дэвис, Электронные процессы в некристаллических веществах (Мир, Москва, 1982).
[8] Л.П. Ромака, Ю.В. Стадник, В.В.Ромака, В.Я. Крайовський, П.-Ф. Рогль, А.М. Горинь, Фізика і хімія твердого тіла 18(2), 187 (2017).