DOI: 10.15330/pcss.18.3.376-381

С.П. Новосядлий, Р.В. Івасюк, М.В. Котик

Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул.. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна, e-mail: ivasroks@ukr.net

Кількісні значення електричного потенціалу генерування елементів субмікронних структур ВІС в робочому режимі можуть бути експериментально визначені електрооптичним ефектом в нематичному рідкому кристалі. Цей метод стосується методів електронної діагностики структур ВІС, що використовують ТК, і відноситься до САПР системи ВІС.
Ключові слова: рідкі кристали, високоінтегральний контур, автоматизована система проектування, нематичні рідкі кристали, твіст-ефект.

Література

[1] S.P. Novosyadlyj, AI Terletsky, Diagnosis of submicron structures WSI (Ivano-Frankivsk, 2016).
[2] S.P. Novosyadlyj, East European Journal of advanced technologies 7, 26 (2009).
[3] Patent N68204 (USA). Method of formation of heat resistance of multilayer metallization of submicron structures. Inventor: S.P Novosyadlyi, R.B. Atamanyuk, V.M. Vivcharyk Proprietor : Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, 57 Shevchenko Str., 76018 Ivano-Frankivsk.
[4] N.P. Hrytsenko, LCD elektronnaya promyshlynot 95 (1992).
[5] G.Aszodat, J / Isabon, J Janosy 12, 1127 (1981). .