DOI: 10.15330/pcss.18.3.334-337

Є.С. Никонюк¹, З.І. Захарук², С.В. Солодін², П.М. Фочук², С.Г. Дремлюженко², І.М. Юрійчук², Б.П. Рудик¹

Особливості електричних характеристик напівізолюючих кристалів CdTe-Сl

¹Національний університет водного господарства та природокористування, м. Рівне, вул. Соборна, 11, 33000, Україна, b.p.rudyk@nuwm.edu.ua
²Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2, 58012, Україна, serhii.solodin@gmail.com

Досліджено електричні властивості напівізолюючих кристалів CdTe-Сl, вирощених вертикальним методом Бріджмена та методом рухомого нагрівника. Встановлено, що метод рухомого нагрівника забезпечує електронну провідність, а вертикальний метод Бріджмена – діркову. При 300 К питомий опір зразків становить ρ = (108-109) Омсм, холлівська рухливість: дірок µp = (45 - 55) см²/В•с, електронів µn ≈ (10 - 20) см^2/В•с. Дуже низькі значення і експоненційна температурна залежність µn зумовлені дрейфовими бар’єрами з висотою ε_b ≈ 0,20 еВ. Формування останніх пов’язане з флуктуаціями потенціального рельєфу за рахунок мікронеоднорідностей дефектно-домішкової системи. Крім того, в зразках n-CdTe-Cl мають місце квазіфотохімічні реакції, що полягають у зменшенні рухливості електронів після фотозбудження. В зразках p-CdTe-Cl не виявлено ні дрейфових бар’єрів, ні квазіфотохімічних реакцій.
Ключові слова: явища переносу, розсіяння носіїв заряду, телурид кадмію.

Література

[1] Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Є.В. Корбут, М.М. Борисюк, Телурид кадмію: домішково-дефектні стани та детекторні властивості (Іван Федоров, Київ, 2000).
[2] K.Zanio, Cadmium Telluride 13, 235 (1978).
[3] L. Zou, Z. Gu, N. Zhang, Y. Zhang, Z. Fang, W. Zhu and Xinhua Zhong, J. of Material Chemistry 18, 2807 (2008).
[4] K. Shcherbin, S. Odoulov, Z. Zakharuk, I. Rarenko, Optical Materials 18, 159 (2001).
[5] K.L. Chopra, P.D. Paulson, V. Dutta, Progress in Photovoltaics: Research and Applications 12, 69 (2004).
[6] M. Fiederle, V. Babentsov, J. Franc, A. Fauler, J.-P. Konrath, Cryst. Res. Technol. 38, 588 (2003).
[7] А. Zaiour, M. Ayoub, A. Hamié. А. Fawaz, M. Hage-ali, Physics Procedia 55, 476 (2014).
[8] S.G. Dremluzhenko, Z.I. Zakharuk, I.M. Rarenko, V.M. Srtebegev, A.G. Voloshchuk, I.M. Yurijchuk Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 7(1), 52, (2004).
[9] A.Ya. Shik, ZhETF 71, 1159 (1976).
[10] P.M. Fochuk, E.S. Nikonyuk, Z.I. Zakharuk, G.I. Rarenko, S.G. Dremlyuzhenko, Scientific Journal of Chernivtsi University 771:Chemistry, 56 (2016).
[11]  Cadmium Telluride and related Compounds, Physics, Defects, Hetero- and Nanostructures, Crystal Growth, Surfaces and Applications (Elsevier, Amsterdam-Oxford, 2010).
[12]  L.R. Weisberg, J.Appl. Phys. 33, 1817 (1962).