Фізика і хімія твердого тіла

 

2017   Том 18   №3

Обкладинка

Зміст

Редакційна
Колегія

 

 

DOI: 10.15330/pcss.18.3.321-323

Ю.В. Коваль1, Д.А. Захарчук1, Л.В. Ящинський1, Л.І. Панасюк1, С.А. Федосов2


Особливості структурних неоднорідностей в легованих монокристалах антимоніду кадмію

1Луцький національний технічний університет, вул. Львівська, 75, 43018 Луцьк, Україна
2Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, пр. Волі, 13, 43025 Луцьк, Україна

У роботі представлені результати досліджень по виявленню неоднорідностей в кристалах CdSb, легованих Te. Робота переслідує мету дослідити структурні неоднорідності та встановити наявність періодичності в розподілі даних неоднорідностей. Виявлено за допомогою двозондового компенсаційного методу, оптичної топографії, растрової електронної мікроскопії та EDX-аналізу наявність шаруватої структури з декількома типами шарів, що характеризуються різними періодами.
Ключові слова:
анізотропія, кристал, домішка, опір, неоднорідності, шарувата cструктура.


Повна версія статті .pdf
На головну 

Література

[1] K. Rave, Defects and impurities in semiconductor silicon (Springer, Verlag, 1984).
[2] A.J.R. de Kock, S.O. Ferris, L.C. Kimerling, H.J. Leamy, J. Appl. Phys. 48(1), 301 (1977).
[3] H. Ueda, J. Phys. Soc. Jap. 16(1), 61 (1961).
[4] P.I. Baranskii, A.V. Fedosov, G.P. Gaydar, Neodnoridnosti napivprovidnikiv i aktualni zadachi mizhdefektnoyi vzayemodiyi v radiatsiyniy fizitsi i nanotechnologiyi (Nadstir’ya, Lutsk, 2006).
[5] A.K. Semenyuk, Issledovanie electrofizicheskih parametrov kremniya, prednaznachenogo dlya izgotovleniya silovih poluprovodnikovih priborov, otchet po teme № 4320 (Lviv, 1987).