DOI: 10.15330/pcss.18.2.194-197

Н.С.Лях-Кагуй¹, А.О.Дружинін^{1, 2}, І.П.Островський^{1, 2}, Ю.М.Ховерко^{1, 2}

Магнетоопір ниткоподібних кристалів Bi2Se3 при низьких температурах

¹Національний університет «Львівська політехніка», Львів, Україна
²Міжнародна лабораторія сильних магнітних полів і низьких температур, Вроцлав, Польща

Досліджено температурні залежності опору ниткоподібних кристалів Bi₂Se₃ легованих Pd до концентрації 10¹⁹ см^-3 в діапазоні температур 4,2 - 300 К. Виявлено різке падіння опору кристалів при температурі 5,3 K. Спостережуваний ефект, ймовірно, пов'язаний із внеском двох ефектів, таких як локалізація електронів у ниткоподібних кристалах та перехід в надпровідний стан при температурі 5,3 К, що, ймовірно, є результатом присутності комплексів домішки Pd. Було вивчено поперечний магнетоопір ниткоподібних кристалів Bi₂Se₃   n-типу провідності з концентрацією домішки Pd, що відповідає близькості до переходу метал-діелектрик з металевого боку в магнітному полі 0 - 10 Тл. При температурі 25 К спостерігається мінімум на температурній залежності опору, що пов'язано із проявом ефекту Кондо.
Ключові слова: ниткоподібні кристали Bi₂Se₃ ; поперечний магнетоопір; ефект Кондо; надпровідність.

Література

[1] A.A Barlian, S.J Park, V. Mukundan, B.L. Pruitt, Sensors and Actuators A134, 77 (2007).
[2] P.I. Baranskii, A.V. Fedosov, G.P. Gaidar, Physical properties of Si and Ge crystals in the fields of effective external influence (Lutsk, Nadstyrja, 2000) [in Ukrainian].
[3] I. Maryamova, A. Druzhinin, E. Lavitska, I. Gortynska, Y. Yatzuk, Sensors and Actuators A85, 153 (2000).
[4] A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, N.S. Liakh-Kaguy, A.M. Vuytsyk, Functional Materials 21(2), 130 (2014).
[5] A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, Low Temperature Physics 42, 453 (2016) [Fizika Nizkikh Temperatur 42(6), 581(2016)].
[6] I. Khytruk, A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki, Nanoscale Research Letters 12:156 (2017).
[7] A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, O.P. Kutrakov, Functional Materials 23(2), 206 (2016).
[8] V. K. Shruti, P. Maurya, S. Srivastava, S. Patnaik. AIP Conference Proceedings 1731, 130046 (2016).
[9] Y.S. Hor, A.J. Williams, J.G. Checkelsky, P. Roushan, J. Seo, Q. Xu, H.W. Zandbergen, A. Yazdani, N.P. Ong, R.J. Cava, Phys Rev Lett. 104(5):057001 (2010).
[10] F.M. Muntyanu, A. Gilewski, K. Nenkov, A. Zaleski, V. Chistol, Solid State Communications 147(5-6), 183 (2008).
[11] Phuoc Huu Le, Wen-Yen Tzeng, Hsueh-Ju Chen, Chih Wei Luo, Jiunn-Yuan Lin, APL Materials 2, 096105 (2014); doi: http://dx.doi.org/10.1063/1.4894779.
[12] Mingliang Tian, Jinguo Wang, Nitesh Kumar, Tianheng Han, Yoji Kobayashi, Ying Liu, Thomas E. Mallouk, Moses H. W. Chan, Nano letters 6(12), 2773 (2006).
[13] Y.S. Hor, J.G. Checkelsky, D. Qu, N.P. Ong, R.J. Cava, Journal of Physics and Chemistry of Solids 72, 5 (2010).
[14] А.N. Ionov, JETP Letters 29(1), 76 (1979).
[15] А.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.М. Khoverko, R.М. Koretskyy, Sensors electronics and microsystem technology 3(9), 50 (2012) [in Ukrainian].