DOI: 10.15330/pcss.18.2.180-183

В.В. Кідалов¹, А.Ф. Дяденчук¹, С.Л. Хрипко², О.С. Хрипко³

Дослідження структур ZnO:Al/SiO_x/PorSi/р-Si/Al

¹Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, м. Бердянськ, Україна, 71100, KidalovV.V@gmail.com
²Класичний приватний університет, вул. Жуковського, 70-б, Запоріжжя, Україна, 69000, serg_992000@mail.ru 3Запорізька державна інженерна академія, просп. Соборний, 226, Запоріжжя, Україна, 69000

Досліджено люмінесцентні властивості системи ZnO:Al/SiO₂/PorSi/Si, яка була сформована методом розпилення піролізу. Зсув інтенсивності фотолюмінесценції на довжинах хвиль (350-450) нм відбувся через введення ZnO в поруватий кремній, причому, інтенсивність зростала зі збільшенням концентрації алюмінію від 1,5 ат.% до 4,5 ат.%.
Ключові слова: нанотехнологія, поруватий кремній, ZnO, легування.

Література

[1] V. Lehmann, U. Gosele, Appl. Phys. Lett. 58(8), 856 (1991).
[2] M. J. Sailor, Porous Silicon in Practice: Preparation, Characterization and Applications (Wiley Online Library, 2012).
[3] S. L. Khrypko, Jour. of Nano- and Electronic Physics 11(1), 92 (2009).
[4] S. L. Khrypko, Jour. of Crystallization Process and Technology, 3(3), 81 (2013).
[5] R. Sabet-Dariani, N. S. McAlpine, D. Haneman, Journal of Applied Physics 75, 8008 (1994).
[6] S. L. Khripko, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii 7(3), 833 (2009).