DOI: 10.15330/pcss.18.1.117-121

Є.Є. Гвоздієвський¹, Р.О. Денисюк¹, В.М. Томашик², З.Ф. Томашик²

Травлення монокристалів CdTe, Zn_xCd_1-xTe і Cd_хHg_1-хTe водними розчинами HNO₃ – НІ – гліцерин

¹Житомирський державний університет імені Івана Франка, вул. Велика Бердичівська, 40, м. Житомир, Україна, 10008, e-mail: zu@zu.edu.ua
₂Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, пр-т Науки, 41, м. Київ, Україна, 03028, e-mail: gvozd@zu.edu.ua

Досліджено процеси хімічного розчинення монокристалів CdTe та твердих розчинів Zn_xCd_1-xTe(х = 0,04 та 0,1) і Cd_0,2Hg_0,8Te в водних розчинах HNO₃ – НІ – гліцерин. Визначено залежності швидкості травлення вказаних матеріалів від концентрації окисника та органічного розчинника і кінетичні особливості процесу. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні монокристалів досліджуваних напівпровідникових матеріалів.
Ключові слова: напівпровідник, тверді розчини, монокристал, травник, поверхня, хімічне травлення, хіміко-динамічне полірування.

Література

[1] Є.О. Білевич, Формування полірованої поверхні монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в травильних композиціях HNO3–НHal–комплексоутворювач для приладів електронної техніки. Дис. ... канд. техн. Наук (Київ, 2002).
[2] Р.О. Денисюк, З.Ф. Томашик, О.С. Чернюк, В.М. Томашик, І.І. Гнатів, Фізика і хімія твердого тіла 10(1), 134 (2009).
[3] Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, Є.Є. Гвоздієвський, Вопросы химии и химической технологии 2(106), 51 (2016).
[4] Ф.С. Новик, Р.С.Минц, Ю.С. Малков, Заводская лаборатория 53(7), 840 (1967).