DOI: 10.15330/pcss.18.1.78-83

І.В. Семків¹, Г.А. Ільчук¹, Т.О. Дубів², Р.Ю. Петрусь¹, Е.О. Змійовська¹, В.В. Кусьнеж¹, Н.А. Українець¹

Синтез та електричні властивості тонких плівок аргіродиту Ag₈SnSe₆

¹Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна,Semkiv.Igor.5@gmail.com
²Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Кирила і Мефодія, 8, 79005 Львів, Україна, e-mail: Semkiv.Igor.5@gmail.com

Проведено синтез тонких плівок аргіродиту Ag₈SnSe₆ товщиною 500 нм за допомогою температурної витримки плівок Ag-Sn в парах елементарного селену при температурі 480 ^oC. Проведено рентгеноструктурні дослідження отриманих плівок показали утворення потрійної сполуки Ag₈SnSe₆ у орторомбічній фазі з параметрами кристалічної гратки a = 7,9081(6) Å, b = 7,8189(7) Å, c = 11,0464(9) Å, V = 683,03(10) ų. Створено комірку резистивного перемикання на основі плівки Ag8SnSe6 з срібним та склографітовим електродами. Проведено дослідження електричних параметрів комірки методами імпедансної спектроскопії та циклічної вольтамперометрії. Ці дослідження дозволили змоделювати комірку та процеси, що в відбуваються за допомогою електричної еквівалентної схеми та показати наявність явища резистивного перемикання при певних прикладених напругах.
Ключові слова: аргіродит, рентгенівська дифрактометрія, електрохімічна комірка, імпедансна спектроскопія, резистивне перемикання.

Література

[1] R. Waser and M. Aono, Nature Materials 6, 833 (2007).
[2] A. Sawa, Materials Today 11, 28 (2008).
[3] R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov and K. Szot., Adv. Mater. 21, 2632 (2009).
[4] Z. Guo, M.-Q. Li, J.-H. Liu, and X.-J. Huang, Small, 11(47), 6285 (2015).
[5] K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono, Nature 433, 47 (2005).
[6] M. Mitkova, M.N. Kozicki, J. Non-Cryst. Solids 299-302, 1023 (2002).
[7] M. Mitkova, M.N. Kozicki, H.C. Kim, T.L. Alford, Thin Solid Films 449, 248 (2004).
[8] M.N. Kozicki, M. Park, M. Mitkova, IEEE T-NANO 4, 331 (2005).
[9] Пат. 111131 Україна, МПК (2016.01) H01C 7/00. Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу / М.В. Чекайло, В.О. Українець, Г.А. Ільчук, І.В. Семків, Н.А. Українець, В.М. Родич; власник Національний університет “Львівська політехніка”. – № а201406222; заявл. 05.06.2014; опубл. 10.11.2016, Бюл. № 21.
[10] K.-W. Cheng, Y.-H. Wu, T.-H. Chiu, Journal of Power Sources 307, 329 (2016).
[11] Y. Shi, H. Li and L.-J. Li, Chem. Soc. Rev. 44, 2744 (2015).
[12] K.-W. Cheng, C.-H. Yeh, International Journal of Hydrogen Energy 37, 13638 (2012).
[13] F.O. Adurodija, J. Song, S.D. Kim, S.H. Kwon, S.K. Kim, K.H. Yoon, B.T. Ahn, Thin Solid Films 338, 13 (1999).
[14] І.V. Semkiv, А.І. Kashuba, H.A. Ilchuk, M.V. Chekaylo, Physics and Chemistry of Solid State 16(2), 257 (2015).
[15] I.V. Semkiv, B.A. Lukiyanets, H.A. Ilchuk, R.Yu. Petrus, A.I. Kashuba, M.V. Chekaylo, Journal of Nano- and Electronic Physics 8(1), 01011 (2016).
[16] І.V. Semkiv, Physics and Chemistry of Solid State 17(3), 346 (2016).
[17] I.V. Semkiv, H.A. Ilchuk, A.I. Kashuba, R.Yu. Petrus, V.V. Kusnezh, Journal of Nano- and Electronic Physics 8(3), 03005 (2016).
[18] S.V. Syrotyuk, I.V. Semkiv, H.A. Ilchuk, V.M. Shved, Condensed Matter Physics 19(4), 43703 (2016).
[19] I. Karakaya and W.T. Thompson, Bull. Alloy Phase Diagrams 8, 340 (1987).
[20] STOE & Cie GmbH, WinXPOW 3.03, Powder Diffraction Software Package, Darmstadt, Germany, 2010.
[21] R.A. Young, IUCr Monographs on Crystallography (Oxford University Press, New York, 1993).
[22] J. Rodriguez-Carvajal, Newsletter 26, 12 (2001).
[23] T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, 118, 378 (2001).
[24] L. D. Gulay, I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk, J. Alloys Compd. 339, 113 (2002).
[25] R. Waser, I. Valov. ECS Transactions 25(6), 431 (2009).
[26] K.J. Yoon, M.H. Lee, G.H. Kim, S.J. Song, J.Y. Seok, S. Han, J.H. Yoon, K.M. Kim and C.S. Hwang, Nanotechnology 23, 185202 (2012).