DOI: 10.15330/pcss.18.1.69-74

Леандро Воісін¹, Макото Отсука², С. Петровська³, Б. Ільків³, Р. Сергієнко⁴, Такаші Накамура²

Індійзберігаючі тонкі плівки оксиду індію-олова, нанесенні методом магнетронного напилення при кімнатній температурі

¹AMTC, Advanced Mining Technology Center and DIMin, Mining Engineering Department, University of Chile, Chile
²Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan
³Національна академія наук України, Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича, вул. Кржижанівського, 3, Київ 03680, Україна, sw.piotrowska@gmail.com
⁴Національна академія наук України, Фізико-технологічний інститут металів та сплавів, бульвар Вернадського, 34/1, Київ-142 03680, Україна

Індійзберігаючі тонкі плівки оксиду індію-олова нанесені за допомогою магнетронного напилення в чистому аргоні та в змішаній атмосфері аргон-кисень при кімнатній температурі. Для плівок, нанесених в чистому аргоні та підданих термообробці при 923 K величина пропускання плівки у видимій області спектра перевищувала 85 % , а питомий опір становив 2420 мкОм•см. Індійзберігаючі тонкі плівки оксиду індію-олова безпосередньо після напилення аморфні, та їх кристалічність покращується з підвищенням температури термообробки. Було встановлено, що зростання температури термообробки не підвищує пропускання плівок при швидкості потоку кисню, що перевищував 0,4 см3/хв.
Ключові слова: індійзберігаючі плівки оксиду індію-олова; магнетронне напилення; електричні властивості; оптичні властивості.

Література

[1] S. Ishibashi, Y. Higuchi, Y. Ota, K. Nakamura, J.V ac. Sci. Technol.A 8(3), 1403 (1990).
[2] Y.Hoshi, R. Ohki, Electrochimica Acta 44, 3927 (1999).
[3] C. Guillén, J. Herrero, Thin Solid Films 480–481, 129 (2005).
[4] J. Ma, D. Zhang, S. Li, J. Zhao, H. Ma, Jpn.J. Appl.Phys. 37, 5614 (1998).
[5] F.O. Aduodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, M. Motoyama, K. Murai, Jpn.J.Appl.Phys.39, L377 (2000).
[6] H. Kim, C.M. Gilmore, A. Pique, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys.86, 6451 (1999).
[7] P.K. Biswas, A. De, K. Ortner, S. Korder, Materials Letters 58, 1540 (2004).
[8] P.K. Biswas, A. De, N.C. Pramanika, P.K. Chakraborty, K. Ortner, V. Hock, S. Korder, Materials Letters 57, 2326 (2003).
[9] K. Utsumi, H. Iigusa, R. Tokumaru, P.K. Song, Y. Shigesato, Thin Solid Films 445, 229 (2003).
[10] L. Voisin, M. Ohtsuka, T. Nakamura, Mater. Trans. 51(3), 503 (2010).
[11] L. Voisin, M. Ohtsuka and T. Nakamura, ICCE-17 International Conference, (Hawaii, USA, 2009).
[12] L. Kerkache, A.Layadi, A. Mosser, Journal of Alloys and Compounds 485, 46 (2009).
[13] K.-H. Kim, Journal of Ceramic Processing Research. 8, 19 (2007).
[14] S. Li, X. Qiao, J. Chen, Materials Chemistry and Physics 98, 144 (2006).