DOI: 10.15330/pcss.18.1.34-40

Г.П. Гайдар

Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском

¹Інститут ядерних досліджень НАН України, пр. Науки, 47, Київ, 03680, Україна. e-mail: gaydar@kinr.kiev.ua

У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку <100>, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов
|| || [100] та ^|| [100]. Виявлено наявність тензоопору в n Si за умов || || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.
Ключові слова: кремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості.

Література

[1] О.В. Третяк, В.В. Ільченко, Фізичні основи напівпровідникової електроніки (ВПЦ "Київський університет", Київ, 2011).
[2] Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко, Кремний – материал наноэлектроники (Техносфера, Москва, 2007).
[3] Я.В. Лепіх, Ю.О. Гордієнко, А.О. Дружинін, Створення мікроелектронних датчиків нового покоління для інтелектуальних систем: Монографія (Астропринт, Одеса, 2010).
[4] А.Є. Горін, Г.В. Громова, В.М. Єрмаков, П.П. Когутюк, В.В. Коломоєць, П.Ф. Назарчук, Л.І. Панасюк, С.А. Федосов, Укр. фіз. журн. 56 (9), 920 (2011).
[5] G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko, Вопросы атомной науки и техники № 2 (102), Cер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (107), 17 (2016).
[6] V. Kolomoets, V. Ermakov, L. Panasyuk, S. Fedosov, B. Orasgulyev, P. Nazarchuk, Physica B: Condensed Matter 417, 46 (2013).
[7] Г.П. Гайдар, Кинетика электронных процессов в Si и Ge в полях внешних воздействий: Монография (LAP LAMBERT Academic Publishing, Saarbrücken, Deutschland, 2015).
[8] Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (Наука, Москва, 1972).
[9] Г.П. Гайдар, Электронная обработка материалов 51 (2), 85 (2015).
[10] С.І. Будзуляк, Фізика і хімія твердого тіла 13 (1), 34 (2012).
[11] G.P. Gaidar, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 12 (4), 324 (2009).
[12] С.В. Луньов, Л.І. Панасюк, С.А. Федосов, Укр. фіз. журн. 57 (6), 637 (2012).
[13] С.А. Федосов, С.В. Луньов, Д.А. Захарчук, Л.І. Панасюк, Ю.В. Коваль, Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки (16), 39 (2011).
[14] П.І. Баранський, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар, Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу (Надстир'я, Луцьк, 2000).
[15] А.В. Федосов, С.В. Лунёв, С.А. Федосов, ФТП 44 (10), 1307 (2010).
[16] Л.І. Панасюк, В.В. Коломоєць, В.В. Божко, Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки (3), 3 (2012).