DOI: 10.15330/pcss.18.1.29-33

Є.С. Никонюк¹, П.М. Фочук², С.В. Солодін², М.О. Ковалець¹, З.І. Захарук², О.Е. Панчук²

Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si

¹Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна, 11, м. Рівне, 33000, Україна
²Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, Україна, e-mail: serhii.solodin@gmail.com

У роботі наведені результати досліджень температурних залежностей електропровідності та постійної Холла у кристалах CdTe, легованих кремнієм (концентрація домішки у розплаві була 1018 - 1019 см^-3). Проведена класифікація досліджуваних зразків і умов, при яких можуть реалізуватися конкретні домішкові стани. Знайдено відмінність між трьома групами кристалів CdTe:Si: (1) низькоомні кристалу p-типу з мілкими акцепторами, у яких домішка Si локалізована головним чином у великих вкрапленнях; (2) напівізолюючі кристали з глибокими акцепторами і преципітатами Si субмікронного розміру, які є джерелом міжвузлових мілких донорів Sii; (3) низькоомні кристали, у яких n-тип провідності забезпечується мілкими донорами Sii (і/або) SiCd. Таким чином, кремній відповідальний за n-тип провідності легованих кристалів, якщо він впроваджений як донор Sii, і забезпечує напівізолюючий стан шляхом формування глибоких акцепторних комплексів (Si_Cd-VC_d2-)- з енергетичним рівнем (Еv + 0,65 еВ). Субмікронні преципітати кремнію, що мають тенденцію до розчинення при відносно низьких температурах, можуть діяти як електрично активні центри. Ключові слова: телурид кадмію, силіцій, легування, електричні властивості, домішка, преципітати

Література

[1] L. Chibani, M. Наgе-Аli, J. Stoguert et. al., Mater. Sci. Eng. B 16, 202 (1993).
[2] A. Martinaitis, O. Panchuk, Sakalas A. et. al., Lithuanian Phys. Coll. (rus.) 2, 178 (1989).
[3] F.A. Selim, V. Swaminathan, F.A. Kroger, Phys. Stat. Sol.(a). 29, 473 (1975).
[4] O. Parfenyuk, M. Ilashchuk, K. Ulyanitsky et. al., Semiconductors 40(2), 143 (2006).
[5] I.N. Odin, M.V. Chukichev, V.A. Ivanov, M.E. Rubina, Inorgan. Mater. 37, 445 (2001).
[6] R. Jasinskaite, A. Martinaitis, A. Sakalas, O. Panchuk, Solid State Commun 58, 681 (1986).
[7] R. Zelinska-Purgal, W. Nazarewicz, Phys. Stat. Sol. (b), 180, 297 (1993).
[8] P. Fochuk, R. Grill, I. Nakonechnyi, O. Kopach, O. Panchuk, Ye. Verzhak, E. Belas, A.E. Bolotnikov, G. Yang and R. James, B.IEEE. Trans. Nucl. Sci. 58(5), 2346 (2011).
[9] M. Sheinkman, A. Schick, Semiconductors 10(2), 209 (1976).
[10] O. Panchuk, A. Savitskiy, P. Fochuk et. al., J. Cryst. Growth 197, 607 (1999).
[11] Z. Zakharuk, S. Dremlyuzhenko, Kovalchuk M. et. al., Phys. Chem. Solid State 8(4), 703(2007).