DOI: 10.15330/pcss.17.4.575-581

Л.С. Яблонь, О.М. Хемій, І.М. Будзуляк, Б.К. Остафійчук, О.В. Морушко

Вплив лазерного опромінення на електрохімічні властивості композиту MoS₂/С

ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника», вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76018

У роботі представлено результати досліджень електрохімічних властивостей композиту MoS₂/C. Показано, що вклад у провідність композитів вносить як ємнісний характер накопичення заряду, притаманний високопровідному вуглецю, який, розташовуючись між шарами MoS₂, покращує перенесення заряду під час процесів заряд/розряду, так і швидкі оборотні фарадеївські процеси, властиві дисульфіду молібдену. Виявлено, що найвищою розрядною питомою ємністю володіє лазерно опромінений композит MoS₂/С з вмістом вуглецю 70 % (209 Ф/г), що пов’язано з найкращим поєднанням двох механізмів накопичення заряду та зростанням дефектності структури і активацією носіїв заряду під впливом лазера.
Ключові слова: дисульфід молібдену, активований вуглець, композит, гальваностатичний та потенціо-динамічний методи, накопичення заряду.

Література

[1] Shan Hu, Wen Chen, Jing Zhou, Fei Yin, Evan Uchaker, Qifeng Zhang and Guozhong Cao, J. Mater. Chem. A 2, 7862 (2014).
[2] Bingling Hu, Xiaoyun Qin, Abdullah M. Asiri, Khalid A. Alamry, Abdulrahman O. Al-Youbib, Xuping Suna, Electrochimica Acta 100, 24 (2013).
[3] Koroteev V., Bulusheva L., Asanov I., Shlyako¬va E., Vyalikh D., Okotrub A., The Jour¬nal of Physical Chemistry С 115, 21199 (2011).
[4] O. E. Beqqali, I. Zorkani, F. Rogemond, H. Chermette, R. Ben Chaabane, M. Gamoudi, G. Guiilaud, Synthetic Metals 90, 165 (1997).
[5] N.L. Glinka. Obshhaja himija: uchebnoe posobie dlja vuzov (pod red. A.I. Ermakova. – izd. 30-e, ispr) (Integral-Press, Moskva, 2003).
[6] Halper M. S., Ellenbogen J. C. Supercapacitors: A brief overview. The MITRE Corporation, McLean, Virginia, USA, 1–34 p. (2006).