DOI: 10.15330/pcss.17.4.539-543

А.С. Кримусь^1,2, Г.Л. Мирончук¹, О.В. Парасюк³, І.В. Кітик^1,4

Дослідження оптичного поглинання та п’єзоелектричного ефекту у монокристалі твердого розчину AgGaGe₃Se_7.6Te_0.4

¹Physics Department, Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025 Lutsk, Ukraine, e-mail: KrymusAS@rambler.ru
²Institute of Physics, J.Dlugosh University, Armii Krajowej 13/15, PL-42-201, Czestochowa, Poland
³Department of Chemistry, Eastern European National University, 13 Voli Avenue, 43025 Lutsk, Ukraine 4Faculty of Electrical Engineering, Armii Krajowej 17, PL-42-201, Czestochowa, Poland

У даній роботі досліджено спектральний розподіл коефіцієнта поглинання в діапазоні температур 100 – 300 К, оцінена ширина забороненої зони. Показана експоненційна залежність коефіцієнта поглинання в області краю поглинання, розраховані параметри правила Урбаха. Досліджено температурно- та лазерно- індукований п’єзоелектричний ефект. Скореговано вплив нагріваня монокристалу при освітленні лазером на п’єзоелектричний коефіцієнт.
Ключові слова: халькогеніди, монокристали, ширина забороненої зони, правило Урбаха, п’єзоелектричний ефект.

Література

[1] H.L. Myronchuk, H.Ye. Davydyuk, O.V. Parasyuk ta in., Ukr. fiz. zhurn. 57(10), 1050 (2012).
[2] V. Badikov, K. Mitin, F. Noack et al., Opt. Mater. 31, 590 (2009).
[3] K. Ogusu, J. Yamasaki, S. Maeda et al., Opt. Lett. 29(3), 265 (2004).
[4] A.H. Reshak, O.V. Parasyuk, A. O. Fedorchuk et al., J. Phys. Chem. B. 117, 15220 (2013).
[5] G. Lakshminarayana, M. Piasecki, G.E. Davydyuk et al.,Mat. Chem. Phys. 135(2-3), 837 (2012).
[6] I.V. Kityk, N. AlZayed, P. Rakus et al.,Phys. B Cond. Mat. 423, 60 (2013).
[7] K. Mitin, A. Seryogin, V.V. Badikov et.al. Technical Summary Digest. [5337–32]. (2004). P. 245.
[8] G.E. Davidyuk, O.N. Yurchenko, O.V. Parasyuk et al.,Inorg. Mat. 44(4), 361 (2008).
[9] W. Kuznik, A.El Naggar, P. Rakuset al.,J. Alloys Compd. 658, 408 (2016).
[10] W. Kuznik, P. Rakus, K. Ozga et al., Eur. Phys. J. Appl. Phys. 70(3), 30501 (2015).
[11] O.V. Parasyuk, A.O. Fedorchuk, G.P. Gorgut et al., Opt. mat. 35, 65 (2012).
[12] T.S. Moss. Optical Properties of Semiconductors (Butterworths London, 1959).
[13]  A.F. Guseva, E.V. Zaks, Spravochnik po obshhej i neorganicheskoj himii dlja studentov (Ekatirenburg, 2001).
[14]  A.S. Krymus, G.L. Myronchuk, O.V. Parasyuk, Ukr. J. Phys 61(7), 606 (2016).
[15] A.O. Fedorchuk, G.P. Gorgut, O.V. Parasyuk, et al., J. Phys. Chem. Solids 72, 1354 (2011).
[16] J.Tauc, Optical Properties of Solids, ed. By F.Abeles. (North-Holland, Amsterdam, 1970).
[17] H.P.D. Lanyon. Phys. Rev., 130, 134 (1963). [18] F. Urbach, Phys. Rev. 92, (1953).
[19] L. Bonch-Bruyevich, I.P. Zvyagin, R. Kaiper et al., Electron Theory of Disordered Semiconductors (Nauka, Moscow, 1981).
[20] M. Makowska-Janusik, I.V. Kityk, G. Myronchuk, et al, Cryst. Eng. Comm. 16(40), 9534 (2014).
[21] C. Rincon, S. M. Wasim, G. Mar?n et al., J. Appl. Phys. 90(9), 4423 (2001).
[22] T.V. Panchenko, S.Ju. Kopylova, Ju.G. Oseckij, Sol. St. Physics 37, 9 (1995).