DOI: 10.15330/pcss.17.4.515-519

О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.І. Медвідь, І.Й. Кухарський, В.В. Пташник, М.В. Партика

Структура і коливні спектри тонких плівок β-Ga₂O₃

Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська 1, м. Львів, 79000, Україна, e-mail: bordun@electronics.lnu.edu.ua

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β–Ga₂O₃, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення, після відпалу у різних атмосферах. Виміряно спектри ІЧ-відбивання системи тонка плівка β–Ga₂O₃ – підкладка з плавленого кварцу υ–SiO2 в області 400 - 1600 см^–1 при Т = 295 К. Проведено інтерпретацію піків у спектрі плівок β–Ga₂O₃, що пов’язані з коливаннями Ga–O фрагментів у структурних тетраедричних GaO₄ та октаедричних GaO₆ комплексах.
Ключові слова: оксид галію, тонкі плівки, коливні спектри.

Література

[1] Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li, Sensors and Actuators B 129 (21), 666 (2008).
[2] J.-T. Yan, C.-T. Lee, Sensors and Actuators B 143 (1), 192 (2009).
[3] M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, J. R. Kwo, J. P. Mannaerts, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. A. Thiel, Appl. Phys. Lett. 66 (5), 625 (1995).
[4] J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie, Chin. Phys. Lett. 25 (10), 3787 (2008).
[5] K. Shimamura, E. G. Víllora, T. Ujiie, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 92 (20), 201914 (2008).
[6] P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth, Mater. Sci. Eng. B 146 ( 1–3), 252 (2008).
[7] T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys. 39 (6A), L524 (2000).
[8] T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami, Thin Sol. Films 373, 145 (2000).
[9] Z. Ji, J. Du, J. Fan, W. Wang, Opt. Mater. 28 (4), 415 (2006).
[10] Y. Nakano, T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82 (2), 218 (2003).
[11] T. Minami, Y. Kuroi, T. Miyata, H. Yamada, S. Takata, J. Lumin.72–74, 997 (1997).
[12] S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, C.-R. Cho, Integr. Ferroelectr. 74 (1), 173 (2005).
[13] R. Suzuki, S. Nakagomi, Y. Kokubun, N. Arai, S. Ohira, Appl. Phys. Lett. 94 (22), 222102 (2009).
[14] T. Oshima, S. Fujita, Phys. Status Solidi C 5 (9), 3113 (2008).
[15] Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi, Appl. Phys. Lett. 90 (3), 031912 (2007).
[16] M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77 (25), 4166 (2000).
[17] V.M. Kalygina, V.V. Vishnikina, A.N. Zarubin, V.A. Novikov, Ju.S. Petrova, O.P. Tolbanov,
[18] A.V. Tjazhev, S.Ju. Cupij, T.M. Jaskevich, FTP 47 (8), 1137 (2013).
[19] V.D. Andreeva, V.E. Novikov, I.K. Boricheva, A.B. Speshilova, Special'nye metody rentgenografii i jelektronno-mikroskopicheskogo issledovanija materialov (Izd-vo politehn. un-ta, Sankt-Peterburg, 2008).
[20] L.D. Landau, E.M. Lifshic, Jelektrodinamika sploshnyh sred (Nauka, Moskva, 1982).O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, V. B. Lushchanets, J. Appl. Spectrosc. 81 (5), 771 (2014).
[21] R. Rao, A. M. Rao, B. Xu, J. Dong, S. Sharma, M. K. Sunkara, J. Appl. Phys. 98 (9), 094312 (2005).
[22] D. Dohy, G. Lucazeau, J. Mol. Struct. 79, 419 (1982).
[23] B. Liu, M. Gu, X. Liu, Appl. Phys. Lett. 91 (17), 172102 (2007).
[24] Y. H. Gao, Y. Bando, T. Sato, Y. F. Zhang, X. Q. Gao, Appl. Phys. Lett. 81 (12), 2267 (2002).