DOI: 10.15330/pcss.17.4.511-514

Я.В. Грицище¹, В.Ю. Лоя¹, М.І. Козак², І.І. Чичура², А.М. Соломон¹, В.М. Красилинець¹

Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As₂(S, Se)₃

¹Інститут електронної фізики НАН України, вул. Університетська, 21, м. Ужгород, 88017, Україна, e-mail: grytsyshche@ukr.net
²Ужгородський національний університет, вул. Підгірна 46, м. Ужгород, 88000, Україна

Проведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As₂S₃ та As₂Se₃. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках.
Ключові слова: халькогенідні стекла, енергія активації, модифікація, тонкі плівки, фотопровідність.

Література

[1] K.K. Shvarc, Fizika opticheskoj zapisi v dijelektrikah i poluprovodnikah (Zinatne, Riga, 1986).
[2] Jelektronnye javlenija v hal'kogenidnyh stekloobraznyh poluprovodnikah, pod redakciej K.D. Cjendina (Nauka, SPb., 1996).
[3] V. Tmovcova, I. Furar, D. Lezal, J. Non-Cryst. Solids, 353, 1311(2007).
[4] T.F. Mazec, N.N. Smirnova, Je.A. Smorgonskaja, V.K. Tihomirov, PZhTF 18(13), 46 (1992).
[5] V.M. Zhiharev, V.Ju. Loja, A.M. Solomon, Ja.V. Gricishhe, Naukovij vіsnik UzhNU. Serіja Fіzika (37), 89 (2015).
[6] G.Z. Vinogradova, Stekloobrazovanie i fazovye ravnovesija v hal'kogenidnyh sistemah (Nauka, Moskva, 1984).
[7] A. Kolobov, S.R. Elliott, Advances in Physics, 44:5, 684 (1991).
[8] K. Dhimakawa, A. Kolobov, S.R. Elliott, Advances in Physics, 44:6, 588 (1995).