DOI: 10.15330/pcss.17.4.507-510

В.М. Катеринчук¹, Б.В. Кушнір¹, З.Р. Кудринський¹, З.Д. Ковалюк¹, І.Г. Ткачук¹, О.С. Литвин²

Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe

¹Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, Чернівці, 58001, е-mail: chimsp@ukrpost.ua
² Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, Київ, 03028

Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga₂O₃. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.
Ключові слова: InSe, GaTe, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристики.

Література

[1] V.N. Katerinchuk, M.Z. Kovaljuk, A.D. Ogorodnik, Neorg. mater. 32 (8), 937 (1996).
[2] V.L. Bakumenko, Z.D. Kovaljuk, L.N. Kurbatov, V.G. Tagaev, V.F. Chishko, FTP 14 (6), 1115 (1980).
[3] Z.D. Kovaljuk, Fizicheskie osnovy poluprovodnikovogo materialovedenija (Kiev, Naukova dumka, 1986).
[4] V.N. Katerinchuk, Z.R. Kudrinskij, Z.D. Kovaljuk, FTP 49 (5), 612 (2015).
[5] A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Van der Waals heterostructures (Manchester, Nature, 2013) v. 499, p. 419.
[6] K. S. Novoselov, A. H. Castro Neto, Phys. Scr. 146, 014006 (2012).
[7] A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunction and metal-semiconductor junction (New York, Academic Press, 1972).
[8] N. Balakrishnan, Z. R. Kudrynskyi, M. W. Fay, G. W. Mudd, S. A. Svatek, O. Makarovsky, Z. D. Kovalyuk, L. Eaves, P. H. Beton, A. Patanu, Advanced Optical Materials 2(11), 1064 (2014).
[9] V.M. Katerinchuk, Z.D. Kovaljuk, M.V. Tovarnic'kij, Ukr. fіz. zh. 45(1), 87 (2000).
[10] K. Davletov, F. Ragimov, FTP 16(9), 1631 (1982).