DOI: 10.15330/pcss.17.2.281-285

С.П. Новосядлий, С.І. Бойко

Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем

Прикарпатський Національний університет ім. В.Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано–Франківськ, Україна, 76025, Е–mail: nsp@mail.pu.if.ua

В даній статті проведено аналіз швидкодії біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу в якості емітерного переходу дозволяє радикально підвищити його швидкодію. Чисельне моделювання швидкодії ГБТ в режимі кільцевого генератора (КГ) як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1х2 мкм може бути знижений до рівня 8 пс при максимальному струму 105 А/см². Час затримки 24 пс при потужності 9,1 мВт і 17 пс при потужності 40 мВт отримано для ГБТ як з одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами. Ключові слова: біполярний транзистор, гетероперехід, арсенід галію.

Література

[1] Ju.K. Pozhela, Fizika bystrodejstvujushhih tranzistorov (Mokslas, Vil'njus, 1989).

[2] V.A. Moskaljuk, V.I. Timofeev, A.V. Fedjaj, Sverhbystrodejstvujushhie pribory jelektroniki (NTUU KPI, Kiev, 2012).

[3] N.G. Einspruch, W.R. Frensley, VLSI Electronics: Microstructure Science. Heterostructures and Quantum Devices (Academic Press, San Diego, 1994).

[4] O. Esame, Y. Gurbuz, I. Tekin, A. Bozkurt, Microelectronics Journal 35(11), 901 (2004).

[5] B. Lia, S. Prasada, L.W. Yangb, S.C. Wangc, Solid-State Electronics 43(4), 839 (1999).