DOI: 10.15330/pcss.17.2.202-206

О.В. Замуруєва¹, Г.Л. Мирончук¹, М.В. Хвищун², О.В. Парасюк¹

Електричні та фотоелектричні властивості твердих розчинів Ag₂In₂Si(Ge)Se₆

¹Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, Україна, 43025 Волинська область, м. Луцьк просп. Волі, 13, e-mail:zamurueva.o@gmail.com
²Луцький національний технічний університет;

Проаналізовані температурні залежності питомої електропровідності та спектральний розподіл фотопровідності в монокристалах Ag₂In₂SiSe₆ і Ag₂In₂GeSe₆. Показано, що в температурному інтервалі 100 – 300 K спостерігається провідність термозбуджених домішкових носіїв заряду по дозволеній. Інтерпретація експериментальних результатів проведена в рамках моделі Мотта для невпорядкованих систем. Визначена енергія активації домішкової провідності.
Ключові слова: провідність, енергія активації, аморфний напівпровідник, фотопровідність.

Література

[1] V.E. Lashkarev, A.V. Ljubchenko, M.K. Shejnkman, Neravnovesnye processy v fotoprovodnikah (Naukova dumka, Kiev, 1981).

[2] J.L. Shay, J.H. Wernick, Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Pergamon Press, N.Y., 1975).

[3] Y. Ueno, Y. Kojima, T. Sugiura, H. Minoura, Thin Solid Films 189(1), 91(1990).

[4] L. S. Lerner, Journal of Physics and Chemistry of Solids 27(1), 1(1966).

[5] V.V. Halyan, V.V. Strelchuk, V.O. Yukhumchuk, A.H. Kevshyn, G.Ye. Davydyuk, M.V. Shevchuk, S.V. Voronyuk, Physica B 411, 35 (2013).

[6] K.V. Koughia, I.S. Shlimak, ed. by H. Fritzsche, World Scientific Publishing Company 3, 213(1990).

[7] J. W.Lekse, A. M.Pischera, J. A. Aitken, Materials research bulletin 42(3), 395(2007).

[8] H. Mustafa, D. Hunter, A. K. Pradhan, U. N. Roy, Y. Cui, and A. Burger,Thinsolidfilms. 515(17), 7001(2007).

[9] H.P.D. Langon, Phys. Rev. 130, 134 (1963).

[10] P.G. Schunemann, S.D. Setzler, T.M. Pollak, M.C. Ohmer, J.T. Goldstein, and D.E. Zelmon, J. Cryst. Growth 211, 242(2000).

[11] I.D. Olekseyuk, V.P. Sachanyuk, O.V.Parasyuk, J. Alloys Compds. 414, 73(2006).

[12] S. Ozaki, S. Adachi, Phys. Status Solidi A 203, 2919 (2006).

[13] A.El. Korashy, M.A. Abdel-Rahim, H.El. Zahed, Thin Solid Films 338, 207 (1999).

[14] N. Yamamoto, H. Takahera, H. Horinaka, T. Miyauchi, Jpn. J. Appl. Phys. 25, 1397 (1986).

[15] Yu. Andreev, P. Geiko,V. Voevodin, Gusamov, A. Jpn. J. Appl. Phys. 39s, 94 (2000).

[16] N.A. Gorjunova, Slozhnye almazopodobnye poluprovodniki (Sovetskoe radio, Moskva, 1968).

[17] O.Y. Khyzhun, G.L. Myronchuk,O.V. Zamurueva, O.V. Parasyuk, Optical Materials 38 10(2014).

[18] M. Makowska-Janusik, I.V. Kityk, G. Myronchuk, O. Zamuraeva, O.V. Parasyuk, Cryst Eng Comm, 16, 9534 (2014).

[19] O.V. Zamuruєva, G.L. Mironchuk, O.V. Parasjuk, G.P. Shavarova, Nauk. vіsn. Chіdnoєvrop. nac. un-tu іm. Lesі Ukraїnki. Fіz. nauki. 15, 10(2014).

[20] L.S. Stil'bans, Fizika poluprovodnikov(Sovetskoe Radio, 1967).

[21] G.Є. Davidjuk, G.L. Mironchuk, O.V. Parasjuk, M.V. Shevchuk, O.V. Jakimchuk, S.P. Danil'chuk, Naukovij vіsnik VNU іmenі Lesі Ukraїnki. Fіzichnі nauki 16, 2(2011).

[22] N. Mott, Je. Djevis, Jelektronnye processy v nekristallicheskih veshhestvah.

[23] Ja.G. Kljava, FTT27(5), 1350 (1985).

[24] Ju.M. Andreev, I.V. Baturin, P.P. Gejko, A.I. Gusamov, Kvant. Jelektron 29(1), 66(1999).