DOI: 10.15330/pcss.17.1.53-59

О.М. Бордун, І.І. Медвідь, І.Й. Кухарський, Б.О. Бордун

Центри люмінесценції в тонких плівках β-Ga₂O₃ та (Y_0,06Ga_0,94)₂O₃

Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська 1, м. Львів, 79000, Україна, e-mail: bordun@electronics.lnu.edu.ua

Досліджено спектри фотолюмінесценції та збудження люмінесценції тонких плівок β–Ga₂O₃ та (Y_0.06Ga_0.94)₂O₃ отриманих високочастотним іонно-плазмовим розпиленням в атмосфері аргону. Методом Аленцева-Фока проведено розклад спектрів фотолюмінесценції на елементарні складові. Розглянено природу двох інтенсивних смуг свічення з максимумами в області 3,00 і 3,15 еВ, а також двох слабоінтенсивних смуг свічення з максимумами в області 4,00 і 4,25 еВ. Визначено постійні часу загасання для смуг з максимумами в області 3,00 та 3,15 еВ для різних типів плівок.
Ключові слова: оксид галію, оксид ітрію, тонкі плівки, фотолюмінесценція.

Література

[1] K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 88 (9), 092106 (2006).

[2] N.D. Cuong, Y.W. Park, S.G. Yoon, Sens. Actuat. B 140(1), 240 (2009).

[3] M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77(25), 4166 (2000).

[4] J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie, Chinese Phys. Lett. 25(10), 3787 (2008).

[5] Y. Tokida, S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (10R), 101102 (2013).

[6] P. Wellenius, A. Suresh, J.V. Foreman, H.O. Everitt, J.F. Muth, Mater. Sci. Eng. B 146, 252 (2008).

[7] T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys. 39 (6A), L524 (2000).

[8] K. Mishra, Y. Dwivedi, S. B. Rai, Appl. Phys. B 106 (1), 101 (2012).

[9] C. Shang, X. Shang, Y. Qu, M. Li, Chem. Phys. Lett. 501 (4-6), 480 (2011).

[10] T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda, Appl. Phys. Lett. 103, 041910 (2013).

[11] O.M. Bordun, І.J. Kuhars'kij, B.O. Bordun, V.B. Lushhanec', Fіz. і hіm. tverd. tіla 16 (2), 302 (2015).

[12] M.V. Fok, Tr. FIAN 59, 3 (1972).

[13] N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

[14] Ch.B. Lushhik, A.Ch. Lushhik, Raspad jelektronnyh vozbuzhdenij s obrazovaniem defektov v tverdyh telah (Nauka, Moskva, 1989).

[15] T. Harwig, F. Kellendonk, J. Solid State Chem. 24 (3-4), 255(1978).

[16] L. Binet, D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids 59 (8), 1241 (1998).

[17] K. Shimamura, E. G. Villora, T. Ujiie, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 92(20), 201914 (2008).

[18] T.P. Peka, V.F. Kovalenko, V.N. Kucenko, Ljuminescentnye metody kontrolja parametrov poluprovodnikovyh materialov i priborov (Tehnika, Kiev, 1986).

[19] S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, C.-R. Cho, Integr. Ferroelectr. 74(1), 173 (2005).

[20] B. Liu, M. Gu, X. Liu, Appl. Phys. Lett. 91(17), 172102 (2007).

[21] M. Mohamed, C. Janowtz, I. Unger, R. Manzke, Z. Galazka, R. Uecker, R. Formari, J. R. Weber, J. B. Varley, C. G. Van der Walle, Appl. Phys. Lett. 97(21), 211903 (2010).

[22] L. Binet, D. Gourier, Appl. Phys. Lett. 77(8), 1138 (2000).

[23] J. Zhang, B. Li, C. Xia, G. Pei, Q. Deng, Z. Yang, W. Xu, H. Shi, F. Wu, Y. Wu, J. Xu, J. Phys. Chem. Solids 67 (12), 2448 (2006).