Фізика і хімія твердого тіла

 

2016   Том 17   №1

Обкладинка

Зміст

Редакційна
Колегія

 

 

DOI: 10.15330/pcss.17.1.37-42

Г.П. Гайдар

Магніто- і тензоопір компенсованих кристалів р-Ge в області слабких, проміжних і класично сильних магнітних полів

1Інститут ядерних досліджень НАН України, пр. Науки, 47, Київ, 03680, Україна. e mail: gaydar@kinr.kiev.ua

На кристалах компенсованого р Ge (з коефіцієнтом компенсації k = NSb/NGa = 0,5) при температурі 77 K проведено виміри поперечного (Н  (J // X)) магнітотензоопору (в інтервалі магнітних полів 0 < Н  22.3 кЕ) при фіксованих значеннях механічних напружень Хі = 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,9; 1,1; 1,5 ГПа, що задавали пружну деформацію вздовж зразків, кристалографічна орієнтація яких співпадала з напрямком [100]. Також при фіксованих напруженостях магнітного поля, що відповідали значенням Ні = 2; 4; 8; 10; 15; 20; 22,3 кЕ, були виміряні залежності питомого опору  від механічного напруження Х, що співпадало з поздовжньою віссю кристала (X // J // [100]) і змінювалося в межах 0  Х  1,5 ГПа. Останні залежності характеризувалися наявністю мінімуму в області 0,5  0,6 ГПа при мінімальних напруженостях Н = 2 кЕ, який зміщувався по шкалі Х до значень 0,2  0,3 ГПа при підвищенні Н до 22,3 кЕ.
Ключові слова:
германій, компенсовані кристали, магнітотензоопір, тензомагнітоопір.


Повна версія статті .pdf
На головну 

Література

[1] P.І. Barans'kij, A.V. Fedosov, G.P. Gajdar, Fіzichnі vlastivostі kristalіv kremnіju ta germanіju v poljah efektivnogo zovnіshn'ogo vplivu (Nadstir’ja, Luc'k, 2000).

[2] P.I. Baranskij, I.S. Buda, I.V. Dahovskij, V.V. Kolomoec, Jelektricheskie i gal'vanomagnitnye javlenija v anizotropnyh poluprovodnikah (pod red. P.I. Baranskogo) (Naukova dumka, Kiev, 1977).

[3] P.I. Baranskii, V.V. Kolomoets,Phys. stat. sol. (b) 42(2), K113(1970).

[4] R.K. Willardson, T.C. Harman, A.C. Beer, Phys. Rev. 96(6), 1512(1954).

[5] P.I. Baranskij, V.V. Bajdakov, I.V. Dahovskij, A.I. Elizarov, FTP 9(8), 1613(1975).

[6] K. Sugiyama, A. Kobayashi, J. Phys. Soc. Jpn. 18(2), 163(1963).

[7] K. Sugiyama, J. Phys. Soc. Jpn. 18(10), 1555(1963).

[8] A.C. Beer, Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Eds. F. Seitz and D. Turnbull. – Supplement 4, Solid State Physics (Academic Press Inc., New York and London, 1963).

[9] P.І. Barans'kij, A.V. Fedosov, G.P. Gajdar, Neodnorіdnostі napіvprovіdnikіv і aktual'nі zadachі mіzhdefektnoї vzaєmodії v radіacіjnіj fіzicі і nanotehnologії. Monografіja (Redakcіjno-vidavnichij vіddіl Luc'kogo derzhavnogo tehnіchnogo unіversitetu, Kiїv Luc'k, 2007).