DOI: 10.15330/pcss.17.1.37-42

Л.П. Ромака¹, В.В.Ромака², Ю.В. Стадник¹,В.Я. Крайовський², Д. Качаровський³, А.М. Горинь¹

Дослідження структурних, енергетичних та кінетичних характеристик
напівпровідників RNiSb (R = Gd, Lu)

¹Львівський національний університет ім. І.Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, Львів, 79005, Україна, e-mail: romakal@franko.lviv.ua;
²Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна;
³Інститут низьких температур і структурних досліджень Польської Академії наук, п/с 1410, 50-950, Вроцлав, Польща, e-mail: D.Kaczorowski@int.pan.wroc.pl

Досліджено особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників р-GdNiSb та р-LuNiSb у діапазоні температур Т = 4,2 - 400 К. На прикладі р-LuNiSb показано механізм генерування структурних дефектів акцепторної природи як результат появи у позиції 4c атомів Ni (3d84s2) до 6 % вакансій та часткового, до 1,35 %, витіснення атомів Ni(4с) атомами Lu (5d16s2). Ключові слова: кристалічна та електронна структури, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс.
Ключові слова: квантовий напівпровідниковий дріт, гауссові флуктуації товщини, електропровідність, термоерс, теплопровідність.

Література

[1] D. Kaczorowski,V.V Romaka, L.P.Romaka,A.M. Horyn, T. Kovbasyuk, Yu.V. Stadnyk,Coll. Abs. XV Int. Conf. “Physicsandtechnologyofthinfilmsandnanosystems”. May 11-16, 2015. (Ivano-Frankivsk, Ukraine). P. 360.

[2] V.K. Pecharsky, J.V. Pankevich, O.I. Bodak, Sov. Phys. Crystallogr. 28, 97 (1983).

[3] K. Harties, W. Jeitschko, J. AlloysCompd. 226, 81 (1995).

[4] I. Karla, J. Pierre, R.V. Skolozdra, J. AlloysCompd. 265, 42 (1998).

[5] R.V. Skolozdra, A. Guzik, A.M. Goryn, J. Pierre, ActaPhys. Polonica A 92(2), 343 (1997).

[6] L.I. Anatychuk. Termojelementy i termojelektricheskie ustrojstva (Naukova dumka, Kiev, 1979).

[7] V.A. Romaka, V.V. Romaka, Yu.V. Stadnyk, Intermetalichni napivprovidnyky; vlastyvosti ta zastosuvannya (L'vivs'ka politekhnika, L'viv, 2011).

[8] T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378-381, 118 (2001).

[9] M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E.Hoffmann, G. Reddy, Phys. Rev. 52, 188 (1995).

[10] V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculatedelectronicpropertiesofmetals (PergamonPress, NY, 1978).

[11] R. Ferroand A. Saccone,IntermetallicChemistry (Elsevier, Amsterdam, 2008).

[12] V.K. Pecharskyand P.Y. Zavalij, Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (Springer, NY, 2005).

[13] B.I. Shklovskij, A.L. Jefros, Jelektronnye svojstva legirovannyh poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1979).