DOI: 10.15330/pcss.17.1.7-10

М.А. Рувінський, Б.М. Рувінський, О.Б. Костюк

Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76018, Україна, e-mail: markruvinskii@gmail.com

Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А₃В₅ і А₄В₆ при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.

Ключові слова: квантовий напівпровідниковий дріт, гауссові флуктуації товщини, електропровідність, термоерс, теплопровідність.

Література

[1] P.K. Basu, P. Ray, Phys. Rev. B, 44(4), 1844 (1991).

[2] H. Smith, H. Hojgaard, Transport Phenomena (University Press, Oxford, 1989).

[3] H. Bruns, K. Flensberg, H. Smith, , Phys. Rev. B, 48(15), 11144 (1993).

[4] M.A. Ruvіns'kij, B.M. Ruvіns'kij, FTP, 39(2), 247(2005).

[5] B.M. Ruvіns'kij, M.A. Ruvіns'kij, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla, 15(4), 689 (2014).

[6] A.I. Ansel'm, Vvedenie v teoriju poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1978).

[7] Dzh. Zajman, Principy teorii tvjordogo tela (Mir, Moskva, 1974).

[8] B.K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1999).

[9] J. Imri, Vvedenie v mezoskopicheskuju fiziku (Fizmatlit, Moskva, 2002).

[10] B.M. Askerov, Jelektronnye javlenija perenosa v poluprovodnikah (Nauka, Moskva, 1985).

[11] M.S. Svirskij, Jelektronnaja teorija veshhestva (Prosveshhenie, Moskva, 1980).