DOI: 10.15330/pcss.16.4.685-691

І.С. Биліна

Особливості процесів формування і росту у плівках на основі PbTe на слюді

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76018, Україна, e-mail:vanjabylina@gmail.com

Наведено результати комплексного дослідження парофазних конденсатів на основі PbTe, осаджених на підкладках із слюди методом відкритого випаровування у вакуумі. В результаті обробки та аналізу АСМ-зображень побудовано гістограми розподілу наноструктур на поверхні плівки за нормальними (h) та латеральними (D) розмірами. Визначено залежності середніх розмірів нанокристалітів у нормальному (hm) та латеральному (Dm) напрямках до поверхні підкладки від часу осадження τ. Підтверджено кореневу залежність середніх розмірів від тривалості осадження. Проаналізовано характер зміни фактора форми об’єктів на поверхні від технологічних параметрів.
Ключові слова: плюмбум телурид, наноструктури, кінетика росту, парофазний конденсат, фактор форми.

 Література

[1] N. Kobayasi. Vvedenie v nanotehnologiyu. (Per. s yaponosk.- 2-e izd.-M.:BINOM. Laboratoriya znaniy, 2008).
[2] S.P. Zimin, E.S. Gorlachev, Nanostrukturirovanyie halkogenidyi svintsa (YarGU, Yaroslavl, 2011).
[3] D.M. Freik, M.A. Galuschak, L.I. Mezhilovskaya, Fizika i tehnologiya poluprovodnikovyih plenok (Vischa shkola, Lvіv, 1988).
[4] L.P. Bulat, E.K. Iordanishvili, A.A. Pustovalov, M.I. Fedorov. Termoelektrichestvo. №4, 7 (2009).
[5] Z.M. Dashevskiy. Termoelektrichestvo v halkogenidah svintsa. Pod red. D.Hohlova (Gordon & Brich, 2002).
[6] V.M. Shperun, D.M. Freyik, R.I. Zapukhlyak, Termoelektryka telurydu svyntsyu ta yoho analohiv (Play, Ivano-Frankivs'k, 2000).
[7] G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Semiconductor Lasers. (Van Nostrand Reinhold, New York, 1993).
[8] G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, G. Bauer, Science, 282, 734 (1998).
[9] N.H. Abrikosov, L.E Shelimova. Poluprovodnikovyie materialyi na osnove soedineniy A4В6 (Nauka, Moskva, 1975).
[10] M. Folmer. Kinetika obrazovaniya novoy fazi (Per. s nem./ Pod red. Gorbunovoy K.M. i Chernova A.A., Moskva, Nauka, 1986).
[11] V.G. Dubrovskiy, G.E. Tsyirlin, FTP 39(11), 1312 (2005).
[12] M.A. Kazanskiy, M.V. Nazarenko, V.G. Dubrovskiy, Pisma v ZhTF, 37(6), 78 (2011).
[13] S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, UFN. 168(10), 1083 (1998).
[14] O.V. Koropov, Zh. nano-ta elektron. Fiz., 4(3), 03013-1 (2012).
[15] R.D. Venhrenovych, B.V. Ivans'kyy, A.V. Moskalyuk. FKhTT. 10(1), 19 (2009).
[16] D.M. Freyik, I.S. Bylina, L.Y. Mezhylovs'ka, R.V. Umantsiv, V.V. Mykhaylyuk, FIP, 12(4), 522 (2014).
[17] Ya.P. Saliy, D.M. Freyik, I.S. Bylina, M.O. Halushchak, Zh. nano-ta elektron. Fiz., 7(2), 02020-1 (2015).
[18] S.V. Volkov, Ye.P. Koval'chuk, V.M. Ohenko, O.V. Reshetnyak. Nanokhimiya, nanosystemy, nanomaterialy. (Kyyiv: Naukova dumka, 2008).
[19] A. V. Osipov, Thin Solid Films, 227(2), 111 (1993).
[20] W. Ostwald, Js. Physics Chemistry 34, 495 (1900).
[21] I.M. Lifshits, V.V. Slyozov, ZhETF 35(2), 479 (1958).
[22] C. Wagner. Zs.Electrochem. B.65, M.7/8, 581 (1961).