Фізика і хімія твердого тіла

 

2015   Том 16   №4

Обкладинка

Зміст

Редакційна
Колегія

 

 

DOI: 10.15330/pcss.16.4.649-653

Б.П. Волочанська

Термодинамічні параметри кристалів плюмбум сульфіду у кубічній фазі

ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника», вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76018, Україна, E-mail:bvolochanska@i.ua

На основі аналізу кристалічної та електронної будови у роботі побудовано кластерні моделі кубічної модифікації плюмбум сульфіду. За допомогою комп’ютерних розрахунків в рамках теорії методу функціоналу густини (DFT) обчислено термодинамічні параметри кристалів та їх температурні залежності: енергію ?E та ентальпію ?H, вільну енергію Гіббса ?G, теплоємності при сталому тиску CP та об’ємі CV, ентропію dS. Одержано аналітичні вирази температурних залежностей представлених термодинамічних параметрів, які були апроксимовані із квантово-хімічних розрахункових точок, а результати порівняно із відомими теоретичними даними.
Ключові слова: DFT, кластерні моделі, квантово-хімічні розрахунки, термодинамічні властивості, напівпровідникові IV-VI матеріали, сульфід свинцю.

Повна версія статті .pdf
На головну 

 Література

[1] Y. Zhang, X. Ke, C. Chen, J. Yang, P.R.C. Kent, Thermodynamic properties of PbTe, PbSe, and PbS: First-principles study, Physical Review B 80, 024304 (2009).
[2] Q. Sun, Y. Wang, X. Yuan, J. Han, Q. Ma, F. Li, H. Jin, Z. Liu, Cryst. Res. Technol. 48 (9), 627 (2013).
[3] N. Boukhris, H. Meradji, S. Amara Korba, S. Drablia, S. Ghemid, F. El Haj Hassan, Bull. Mater. Sci., 37 (5), 1159 (2014).
[4] N.M. Ravindra, V.K. Srivastava, Phys. Stat. Sol. (a) 58, 311 (1980).
[5] S. A. Medvedev. Physics and chemistry of compounds AII VVI. Moscow, 1970 .
[6] W.M. Haynes, CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data, (CRC Press, Boca Raton, Fla, 2010).
[7] Kratkij spravochnik fіziko-himicheskih velichin. Izdanie devjatoe / Pod. red.. A.A. Ravdelja i A.M. Ponomarevoj (Special'naja lіteratura Sankt-Peterburg, 1998).
[8] Y. Bencherif, A. Boukra, A. Zaoui, M. Ferhat, Infrared Physics & Technology 54, 39 (2011).
[9] D.H. Parkinson, J.E. Quarrington, Proc. Phys. Soc. A 67, 569 (1954).
[10] Y.-L. Pei, Y. Liu, Journal of Alloys and Compounds 514, 40 (2012).
[11] D.M. Freїk, T.O. Parashhuk, B.P. Volochans'ka, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 15 (2), 282 (2014).
[12] D. Freik, T. Parashchuk, B. Volochanska, Journal of Crystal Growth, 402, 90 (2014).
[13] R. Ahiska, D. Freik, T. Parashchuk, I. Gorichok, Turkish Journ. of Physics 38, 125 (2014).
[14] B. Kiran, Anil K. Kandalam, R. Rallabandi, P. Koirala, X. Li, X. Tang, Y. Wang, H. Fairbrother, G. Gantefoer, K. Bowen, The Journal of Chemical Physics 136, 024317 (2012).
[15] P.B. Littlewood, Physics of Narrow Gap Semiconductors. Proceedings of the 4th International Conference on Physics of Narrow Gap Semiconductors (Linz, Austria, 1981).
[16] L.Є. Shelimova, Neorganicheskie materialy, 24 (10), 1597 (1988).
[17] B.A. Volkov, O.A. Pankratov, Zhurnal eksperimental'noj i teoreticheskoj fiziki, 75 (4), 1362 (1978).