Фізика і хімія твердого тіла

 

2015   Том 16   №2

Обкладинка

Зміст

Редакційна
Колегія

 

 

DOI: 10.15330/pcss.16.2.403-407

В.В. Довгий, І.Т. Когут, В.І. Голота

Схемотопологічне моделювання перетворювачів рівнів сигналів для аналітичних мікросистем-на-кристалі

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, e-mail:igorkohut2202@gmail.com

В роботі наведено результати схемотопологічного проектування і комп’ютерного моделювання перетворювачів рівнів сигналу для інтегральних схем та аналітичних мікросистем на базовому матричному кристалі (БМК) зі структурами «кремній-на-ізоляторі» (КНІ).
Ключові слова: перетворювач рівнів сигналу, структура «кремній-на-ізоляторі», базовий матричний кристал, аналітична мікросистема-на-кристалі.

Повна версія статті .pdf

На головну 

 Література

[1] І.Т. Когут, А.О.Дружинін, В.І. Голота, В.В. Довгий, Елементи аналітичних мікросистем-на-кристалі на основі тривимірних КНІ-структур./Збірник тез 5-тої української наук. конференції з фізики напівпровідників (Ужгород, Україна, 2011). С. 190.
[2] http://www.penzar.com/topspice/topspice.htm.
[3] Патент України на корисну модель №62994. МПК G01B 7/16(2006.01), G01L 9/14(2006.01) Комірка базового матричного кристала /Дружинін А.О., Когут І.Т., Голота В.І., Ховерко Ю.М., Довгий В.В., Вуйцик А.М. Подано 18.02.2011. Заявка u201101326. Опубл. 26.09.2011, бюл. №18/2011.
[4] I.T. Kogut, V.V. Dovhij, Layouts features of SOI CMOS gate matrix arrays /Materials of ICTTFN–XIII, International conference, Physics and technology of thin films and nanosystems (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2011). P.275.
[5] http://www.microwind.org.